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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-10-31 13:00 塗布型有機絶縁材料を用いたP3HT-FETの作製 ○成田幸介・山内 博・飯塚正明・国吉繁一・酒井正俊・中村雅一・工藤一浩（千葉大）  OME2008-50 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、ウェットプロセスによる有機電界効果トランジスタ(OFET)の実用化に向け、ゲート絶縁材料の評価とOFETの大気に対する耐性の改善を行った。OFETを作製するためには、溶液の重ね塗りが必要で、ゲート絶縁層は半導体材料の溶媒に不溶である必要がある。そこで、ゲート絶縁材料として耐溶媒性に優れた材料を選択し、その電気特性を評価しFETを作製した。また、一般に有機半導体は大気中の酸素や水分の影響で電気特性が変化しやすい。半導体層を大気から遮断するために、封止材料を用いて半導体層を被覆した、大気に対する耐性の強いOFETが実現できることを示した。 |
| （英） | In this work, the evaluation of gate insulating materials for organic field effect transistor (OFET) and improvement of air-stability of OFET were performed toward practical use of OFETs. To fabricate OFETs by solution process, the gate insulating material is not dissolved in solvent for organic semiconductor materials. We chose a gate insulating material having solvent resistance and examined electrical characteristics of the gate insulating layer. In general, electrical characteristics of organic semiconductors are unstable in the ambient atmosphere. A passivation film was employed to avoid the exposure to air and air-stable OFETs are realized by solution process. | |
| キーワード | （和） | ウェットプロセス / 有機FET / ゲート絶縁材料 / 封止材料 / / / / |
| （英） | solution process / OFET / insulating materials / passivation materials / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 272, OME2008-50, pp. 1-4, 2008年10月. | |
| 資料番号 | OME2008-50 | |
| 発行日 | 2008-10-24 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2008-50 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2008-10-31 - 2008-10-31 |
| 開催地（和） | 東大本郷 工学部６号館３階セミナー室Ａ |
| 開催地（英） | ToKyo Univ. Faculty of Engineering Bldg.6 |
| テーマ（和） | センサー、デバイス、一般 |
| テーマ（英） | Sensor, Device, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2008-10-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 塗布型有機絶縁材料を用いたP3HT-FETの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of P3HT Field Effect Transistor Using Organic Insulating Materials by Solution Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ウェットプロセス / solution process |
| キーワード(2)（和/英） | 有機FET / OFET |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート絶縁材料 / insulating materials |
| キーワード(4)（和/英） | 封止材料 / passivation materials |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成田 幸介 / Kosuke Narita / ナリタ コウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山内 博 / Hiroshi Yamauchi / ヤマウチ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯塚 正明 / Masaaki Iizuka / イイヅカ マサアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 国吉 繁一 / Shigekazu Kuniyoshi / クニヨシ シゲカズ |
| 第4著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 正俊 / Masatoshi Sakai / サカイ マサトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 雅一 / Masakazu Nakamura / ナカムラ マサカズ |
| 第6著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 一浩 / Kazuhiro Kudo / クドウ カズヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-10-31 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2008-50 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.272 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-10-24 (OME) |
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