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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-10-31 09:50 Arイオン衝撃によるITO薄膜への効果の検討 ○高橋沙季・二木雅斗・中村陽平・清水英彦・岩野春男・福嶋康夫・永田向太郎（新潟大）・星 陽一（東京工芸大）  CPM2008-84 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では，RF-DC結合形スパッタ法に，基板バイアススパッタ法を組み合わせる方法を用いて，低温でITO膜を結晶化させる方法の検討をするために，この方法において電極と基板の間を変化させ，基板バイアススパッタによる膜の結晶化の効果について検討を行った。その結果，電極-基板間距離を小さくすると膜の顕著な結晶性の向上や抵抗率の減少をさせることができなかった。電極-基板間距離を大きくすると，小さい場合に比べ，イオン衝撃量は減少するものの，膜の結晶性の向上や抵抗率の減少を行うことができた。これらはイオン衝撃による加熱効果ではなく，Arイオンと膜表面粒子との運動量交換及び膜中の酸素の選択的スパッタ放出に起因していると考えられる。 |
| （英） | In order to examine deposition method to crystallize an ITO film at low temperature, deposition of ITO thin films was attempted by the combination of RF-DC coupled magnetron sputtering method and substrate bias sputtering method. As a result, when distance between target and substrate was short, the ITO film having the good crystallinity and low resestivity was not obtained. When distance between target and substrate was long, compared with short, the amount of Ar ion bombardment decreased. But tthe crystallinity of the film improved and the resestivity of the film decreased. This result is not a heated effect by the ion bombardment. It is thought that Ar ions and particles of the film surface are caused by having changed a momentum and the oxygen of films is caused by it being done selective sputtering. | |
| キーワード | （和） | ITO薄膜 / RF-DC結合形スパッタ法 / 基板バイアススパッタ法 / 低温度 / / / / |
| （英） | ITO thin film / RF-DC coupled magnetron sputtering method / substrate bias sputtering / low temperature / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 269, CPM2008-84, pp. 53-58, 2008年10月. | |
| 資料番号 | CPM2008-84 | |
| 発行日 | 2008-10-23 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2008-84 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2008-10-30 - 2008-10-31 |
| 開催地（和） | 新潟大学 |
| 開催地（英） | Niigata Univ. |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | Process of Thin Film formation and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2008-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Arイオン衝撃によるITO薄膜への効果の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Examination of Ar ion bombardment effect to ITO Thin Films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ITO薄膜 / ITO thin film |
| キーワード(2)（和/英） | RF-DC結合形スパッタ法 / RF-DC coupled magnetron sputtering method |
| キーワード(3)（和/英） | 基板バイアススパッタ法 / substrate bias sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | 低温度 / low temperature |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 沙季 / Saki Takahashi / タカハシ サキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二木 雅斗 / Masato Niki / ニキ マサト |
| 第2著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 陽平 / Youhei Nakamura / ナカムラ 陽平 |
| 第3著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 英彦 / Hidehiko Shimizu / シミズ ヒデヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩野 春男 / Haruo Iwano / イワノ ハルオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福嶋 康夫 / Yasuo Fukushima / フクシマ ヤスオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永田 向太郎 / Kotaro Nagata / ナガタ コウタロウ |
| 第7著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 星 陽一 / Yoichi Hoshi / ホシ ヨウイチ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京工芸大学 (略称： 東京工芸大) Tokyo Polytechnio Univ. (略称： Tokyo Polytechnio Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-10-31 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2008-84 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.269 |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-10-23 (CPM) |
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