講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-11-14 15:00
ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響 ○鎌倉良成・ミリニコフ ゲナディ・森 伸也(阪大)・江崎達也(広島大) SDM2008-179 |
抄録 |
(和) |
非平衡グリーン関数法に基づく3次元デバイスシミュレータを用いて,無ドープのチャネル中に存在する単一の引力型イオン(ドナー)が多重ゲート型n-MOSFETの電気的特性に与える影響を調べた.チャネル中のドナーイオンはしきい値電圧の変動を引き起こし,その影響はドナーがチャネルポテンシャルの頂上部に存在する場合最も顕著となる.一方,オン電流には遮蔽効果の影響のため大きな変化が現れない.複数のデバイス構造を試した結果,ゲートオールアラウンド構造の方がダブルゲート構造よりもイオンによる特性変動に強いことが分かった. |
(英) |
A comprehensive and rigorous study of the impact of single attractive ion in undoped channel MGFETs is presented by using a new 3D NEGF technique. A single donor induces VT shift, and its impact is most significant when the donor is located at the top of the potential barrier, while on current is not affected so much due to the screening effect. To reduce the intrinsic device parameter fluctuation, control of lateral S/D doing abruptness is important, and gate-all-around structure has better robustness than the double gate structure. |
キーワード |
(和) |
非平衡Green関数法 / MOSFET / デバイスシミュレーション / 特性バラツキ / / / / |
(英) |
nonequilibrium Green's function method / MOSFET / device simulation / fluctuation / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 292, SDM2008-179, pp. 61-66, 2008年11月. |
資料番号 |
SDM2008-179 |
発行日 |
2008-11-06 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2008-179 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2008-11-13 - 2008-11-14 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
テーマ(和) |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
テーマ(英) |
Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2008-11-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響 |
サブタイトル(和) |
|
タイトル(英) |
A Quantum Mechanical Study of Effect of Single Attractive Ions on Electron Transport in Nanoscale Transistors |
サブタイトル(英) |
|
キーワード(1)(和/英) |
非平衡Green関数法 / nonequilibrium Green's function method |
キーワード(2)(和/英) |
MOSFET / MOSFET |
キーワード(3)(和/英) |
デバイスシミュレーション / device simulation |
キーワード(4)(和/英) |
特性バラツキ / fluctuation |
キーワード(5)(和/英) |
/ |
キーワード(6)(和/英) |
/ |
キーワード(7)(和/英) |
/ |
キーワード(8)(和/英) |
/ |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura / カマクラ ヨシナリ |
第1著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
ミリニコフ ゲナディ / Gennady Mil'nikov / ミリニコフ ゲナディ |
第2著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ |
第3著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
江崎 達也 / Tatsuya Ezaki / エザキ タツヤ |
第4著者 所属(和/英) |
広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima Univeristy (略称: Hiroshima Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第5著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第6著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第7著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第8著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第9著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第10著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第11著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第12著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第13著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第14著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第15著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第16著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第17著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第18著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第19著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第20著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第21著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第22著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第23著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第24著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第25著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第26著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第27著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第28著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第29著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第30著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第31著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第32著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第33著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第34著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第35著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第36著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2008-11-14 15:00:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2008-179 |
巻番号(vol) |
vol.108 |
号番号(no) |
no.292 |
ページ範囲 |
pp.61-66 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2008-11-06 (SDM) |