お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2008-11-14 15:00
ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響
鎌倉良成ミリニコフ ゲナディ森 伸也阪大)・江崎達也広島大SDM2008-179 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-179
抄録 (和) 非平衡グリーン関数法に基づく3次元デバイスシミュレータを用いて,無ドープのチャネル中に存在する単一の引力型イオン(ドナー)が多重ゲート型n-MOSFETの電気的特性に与える影響を調べた.チャネル中のドナーイオンはしきい値電圧の変動を引き起こし,その影響はドナーがチャネルポテンシャルの頂上部に存在する場合最も顕著となる.一方,オン電流には遮蔽効果の影響のため大きな変化が現れない.複数のデバイス構造を試した結果,ゲートオールアラウンド構造の方がダブルゲート構造よりもイオンによる特性変動に強いことが分かった. 
(英) A comprehensive and rigorous study of the impact of single attractive ion in undoped channel MGFETs is presented by using a new 3D NEGF technique. A single donor induces VT shift, and its impact is most significant when the donor is located at the top of the potential barrier, while on current is not affected so much due to the screening effect. To reduce the intrinsic device parameter fluctuation, control of lateral S/D doing abruptness is important, and gate-all-around structure has better robustness than the double gate structure.
キーワード (和) 非平衡Green関数法 / MOSFET / デバイスシミュレーション / 特性バラツキ / / / /  
(英) nonequilibrium Green's function method / MOSFET / device simulation / fluctuation / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 292, SDM2008-179, pp. 61-66, 2008年11月.
資料番号 SDM2008-179 
発行日 2008-11-06 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2008-179 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-179

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2008-11-13 - 2008-11-14 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Quantum Mechanical Study of Effect of Single Attractive Ions on Electron Transport in Nanoscale Transistors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 非平衡Green関数法 / nonequilibrium Green's function method  
キーワード(2)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(3)(和/英) デバイスシミュレーション / device simulation  
キーワード(4)(和/英) 特性バラツキ / fluctuation  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura / カマクラ ヨシナリ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) ミリニコフ ゲナディ / Gennady Mil'nikov / ミリニコフ ゲナディ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 江崎 達也 / Tatsuya Ezaki / エザキ タツヤ
第4著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima Univeristy (略称: Hiroshima Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2008-11-14 15:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2008-179 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.292 
ページ範囲 pp.61-66 
ページ数
発行日 2008-11-06 (SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会