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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-14 16:15 シリコンナノワイヤトランジスタの3次元量子輸送シミュレーション ○山田吉宏・土屋英昭・小川真人（神戸大）  SDM2008-182 |
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| 抄録 | （和） | 極限構造MOSトランジスタとして、シリコンナノワイヤをチャネルとする1次元MOSトランジスタが注目されている。本稿では、シリコンナノワイヤトランジスタを高精度に設計するために開発した３次元量子輸送シミュレータとその妥当性について報告する。本シミュレータでは、ナノワイヤ中の1次元電子ガスの振舞いを2次元シュレディンガー方程式を解くことで解析し、さらに、チャネル方向の量子輸送については、1次元ウィグナー方程式および1次元非平衡グリーン関数方程式を解くことで取り入れた。また、チャネル方向の量子輸送特性、特にソース・ドレイントンネリングの影響を定量的に評価するために、古典シミュレーションとして1次元ボルツマン方程式を解くことにも取り組んだ。その結果、サブスレッショルド領域のソース・ドレイントンネリングの影響はゲート長が6nm以下で顕著に現れ始めること、また微細化限界の評価では、古典シミュレーションを用いた場合、最小ゲート長の予測値を過小評価することが明らかとなった。 |
| （英） | Si-nanowire transistors (SNWTs) are promising candidates as extremely downscaled MOSFETs for the future Si-VLSIs. To understand the device physics of SNWTs and assess their performance limits, we have recently developed a new self-consistent and three-dimensional quantum simulator based on a direct solution of the Wigner transport equation, coupled with multi-dimensional Schrödinger-Poisson algorithm. In this paper, we present its validity by comparing with semiclassical Boltzmann and non-equilibrium Green’s function approaches. Further, we discuss on a scaling limit of SNWTs, and demonstrate that the influence of source-drain tunneling begins to appear notably as the gate length becomes shorter than 6nm and also that the semiclassical Boltzmann simulation without the source-drain tunneling underestimates a minimum gate length to make electrostatically “well-tempered” SNWTs. | |
| キーワード | （和） | シリコンナノワイヤトランジスタ / 量子輸送 / ウィグナー関数法 / ソース・ドレイントンネリング / / / / |
| （英） | Si-nanowire transistors / quantum transport / Wigner function model / source-drain tunneling / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 292, SDM2008-182, pp. 77-82, 2008年11月. | |
| 資料番号 | SDM2008-182 | |
| 発行日 | 2008-11-06 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-182 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-11-13 - 2008-11-14 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコンナノワイヤトランジスタの3次元量子輸送シミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Three-Dimensional Quantum Transport Simulation of Si-Nanowire Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンナノワイヤトランジスタ / Si-nanowire transistors |
| キーワード(2)（和/英） | 量子輸送 / quantum transport |
| キーワード(3)（和/英） | ウィグナー関数法 / Wigner function model |
| キーワード(4)（和/英） | ソース・ドレイントンネリング / source-drain tunneling |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 吉宏 / Yoshihiro Yamada / ヤマダ ヨシヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 英昭 / Hideaki Tsuchiya / ツチヤ ヒデアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 真人 / Matsuto Ogawa / オガワ マツト |
| 第3著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-14 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-182 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.292 |
| ページ範囲 | pp.77-82 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-06 (SDM) |
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