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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-14 16:40 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析 ○前川忠史・山内恒毅・原 孟史・土屋英昭・小川真人（神戸大）  SDM2008-183 |
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| 抄録 | （和） | シリコンMOSFETの性能向上を実現する技術として、ひずみシリコンによる高キャリア移動度化に加え、ナノワイヤ等の新構造の導入が注目されている。本稿では第一原理計算を用いて、ひずみを印加したナノ構造シリコンチャネルの電子状態について解析した結果を報告する。まず、バルクシリコンにおいて、<110>方向1軸性引張ひずみが電子の有効質量を軽くすることを確認した後、シリコン薄膜とシリコンナノワイヤに対する<110>方向1軸性引張ひずみの影響を解析した。その結果、シリコン薄膜はバルクと同様に電子の有効質量が軽くなるのに対して、シリコンナノワイヤは殆ど変化しないことが分かった。一方でシリコンナノワイヤは、バルクや薄膜に比べて小さな有効質量を示す結果が得られており、FETチャネルに応用した場合、その輸送特性が改善する可能性を有している。 |
| （英） | In this paper, we present a comparative computational study on strain effects in Si nanostructures including bulk, thin film and nanowire configurations. We employed a first principles calculation to identify the bandstructure parameters such as band splitting energy and transport effective mass. As a result, we found that bulk Si and Si thin film have similar strain effects on the bandstructure parameters under uniaxial <110> strain. Particularly, the effective mass reduction of electrons due to uniaxial <110> tensile strain is expected even in Si thin film. On the other hand, Si nanowire structure has lighter transport effective mass than the other structures, regardless of the amount of uniaxial strain. | |
| キーワード | （和） | 第一原理計算 / ひずみシリコン / ナノ構造チャネル / 有効質量 / バレースプリッティング / / / |
| （英） | First-principles simulation / strained-Si / nanoscaled channel / effective mass / valley splitting / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 292, SDM2008-183, pp. 83-88, 2008年11月. | |
| 資料番号 | SDM2008-183 | |
| 発行日 | 2008-11-06 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-183 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-11-13 - 2008-11-14 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | First-Principles Simulation of Electronic Bandstructures on Nanoscaled-Si Channels with Strain Effects |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 第一原理計算 / First-principles simulation |
| キーワード(2)（和/英） | ひずみシリコン / strained-Si |
| キーワード(3)（和/英） | ナノ構造チャネル / nanoscaled channel |
| キーワード(4)（和/英） | 有効質量 / effective mass |
| キーワード(5)（和/英） | バレースプリッティング / valley splitting |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前川 忠史 / Tadashi Maegawa / マエガワ タダシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山内 恒毅 / Tsuneki Yamauchi / ヤマウチ ツネキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 孟史 / Takeshi Hara / ハラ タケシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 英昭 / Hideaki Tsuchiya / ツチヤ ヒデアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 真人 / Matsuto Ogawa / オガワ マツト |
| 第5著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-14 16:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-183 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.292 |
| ページ範囲 | pp.83-88 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-06 (SDM) |
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