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講演抄録/キーワード
講演名 2008-11-14 15:25
極微細MOSFETにおけるゲートトンネル電流の3次元NEGFシミュレーション
三成英樹西谷大祐森 伸也阪大SDM2008-180
抄録 (和) 非平衡グリーン関数法を用いた3 次元量子輸送シミュレーションを極微細MOSFET について行った.シミュレーションの結果,チャネル領域からゲート電極へトンネルするキャリアの透過関数はエネルギーが高くなるにつれ減少することが分かった.また,界面ラフネスのあるデバイスのトンネル電流についても計算した. 
(英) We have numerically studied gate-tunneling in ultra-small MOSFETs within a three-dimensional nonequilibrium Green’s function (NEGF) formalism. Simulation results show that the tunnel transmission to gate decreases with energy. We also investigate effects of interface roughness on gate-tunneling.
キーワード (和) シリコン / MOSFET / 非平衡グリーン関数法 / ゲートリーク電流 / 界面ラフネス / / /  
(英) Silicon / MOSFET / NEGF / Gate leakage current / Surface roughness / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 292, SDM2008-180, pp. 67-70, 2008年11月.
資料番号 SDM2008-180 
発行日 2008-11-06 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2008-180

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2008-11-13 - 2008-11-14 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 極微細MOSFETにおけるゲートトンネル電流の3次元NEGFシミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Three-dimensional NEGF simulation of gate tunnel current in ultra-small MOSFETs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコン / Silicon  
キーワード(2)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(3)(和/英) 非平衡グリーン関数法 / NEGF  
キーワード(4)(和/英) ゲートリーク電流 / Gate leakage current  
キーワード(5)(和/英) 界面ラフネス / Surface roughness  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 三成 英樹 / Hideki Minari / ミナリ ヒデキ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 西谷 大祐 / Daisuke Nishitani / ニシタニ ダイスケ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-11-14 15:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2008-180 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.292 
ページ範囲 pp.67-70 
ページ数
発行日 2008-11-06 (SDM) 


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