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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-27 17:40 ELO-AINテンプレート上に作製した270nm帯ALGaN紫外LED ○乗松 潤・平山秀樹・藤川紗千恵・野口憲路（理研/埼玉大/JST）・高野隆好（理研/パナソニック電工）・椿 健治（理研/埼玉大/JST）・鎌田憲彦（埼玉大/JST）  ED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112 |
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| 抄録 | （和） | 波長250-280nm帯の紫外LED・LDは今後殺菌用途応用への展開が予測され、その高効率・高出力化が大変期待されている。AlGaN紫外LEDの高効率化のためには、低貫通転位密度AlNテンプレートの使用が重要である。本研究ではEpitaxial Lateral Overgrowth (ELO)-AlNを用いることにより低貫通転位密度AlNテンプレートを実現し、その上にAlGaN系紫外LEDを作製しCW動作においてミリワット動作を得た。サファイア基板上に、まず、減圧MOCVD法によりアンモニアパルス供給多段成長法を用いて下地AlN層を成長した。そのAlN層に5/3µmのストライプ構造を形成した後、ELO-AlNを作製した。その上にAlGaN3層量子井戸を発光層とするLEDを作製した。ELO-AlN上AlGaN-LEDからは波長273nmの強い発光ピークが得られ、室温CW動作において最大出力は2.7mW、最大外部量子効率（EQE）は0.04％であった。 |
| （英） | 250-280 nm-band high-efficiency deep-ultraviolet (DUV) light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) are attractive much attention for the application to sterilization or medical use. The realization of low threading dislocation density (TDD) AlN template on sapphire substrate is considerably important in order to realize high-efficiency and high-power AlGaN-based DUV-LEDs. In this work, we fabricated AlGaN quantum well (QW) LEDs on Low TDD AlN template fabricated by epitaxial lateral overgrowth (ELO) method, and realized CW milliwatt power operation of AlGaN DUV-LED. First we grew initial AlN on c-plane sapphire substrate by using ammonia (NH3) pulse-flow multilayer (ML) growth method. After we formed 5/3 μm AlN stripes on the initial AlN, we grew thick ELO-AlN layer. We fabricated the AlGaN-3QWs LED on the ELO-AlN. Intense 273 nm emission peak was obtained from the AlGaN LED, and the maximum output power was 2.7mW, the maximum external quantum efficiency (EQE) was 0.04%. | |
| キーワード | （和） | ELO-AlN / 紫外LED / 貫通転位密度 / アンモニアパルス多段成長法 / MOCVD / / / |
| （英） | ELO-AlN / ammonia pulse-flow multilayer growth method / UV-LED / MOCVD / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-112, pp. 77-82, 2008年11月. | |
| 資料番号 | LQE2008-112 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ELO-AINテンプレート上に作製した270nm帯ALGaN紫外LED |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 270 nm-band AlGaN deep-UV LEDs fabricated on ELO-AlN template |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ELO-AlN / ELO-AlN |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外LED / ammonia pulse-flow multilayer growth method |
| キーワード(3)（和/英） | 貫通転位密度 / UV-LED |
| キーワード(4)（和/英） | アンモニアパルス多段成長法 / MOCVD |
| キーワード(5)（和/英） | MOCVD / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 乗松 潤 / Jun Norimatsu / ノリマツ ジュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研/埼玉大/JST) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研/埼玉大/JST) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤川 紗千恵 / Sachie Fujikawa / フジカワ サチエ |
| 第3著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研/埼玉大/JST) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 憲路 / Norimichi Noguchi / ノグチ ノリミチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研/埼玉大/JST) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 隆好 / Takayoshi Takano / タカノ タカヨシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 松下電工株式会社 (略称： 理研/パナソニック電工) Matsushita Electric Works, Ltd. (略称： Matsushita Electric Works) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 椿 健治 / Kenji Tsubaki / ツバキ ケンジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研/埼玉大/JST) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌田 憲彦 / Norihiko Kamata / カマタ ノリヒコ |
| 第7著者 所属（和/英） | 埼玉大学/JST CREST (略称： 埼玉大/JST) Saitama University/JST CREST (略称： Saitama University/JST CREST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-27 17:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2008-168, CPM2008-117, LQE2008-112 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.77-82 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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