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レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 中野 義昭 (東大)
副委員長 石川 浩 (産総研)
幹事 山中 孝之 (NTT), 森戸 健 (富士通研)

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 葛原 正明 (福井大)
副委員長 橋詰 保 (北大)
幹事 村田 浩一 (NTT)
幹事補佐 原 直紀 (富士通研), 津田 邦男 (東芝)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 上村 喜一 (信州大)
副委員長 安井 寛治 (長岡技科大)
幹事 清水 英彦 (新潟大), 大庭 直樹 (NTT)
幹事補佐 竹村 泰司 (横浜国大), 今井 欽之 (NTT)

日時 2008年11月27日(木) 09:30 - 18:05
2008年11月28日(金) 09:00 - 16:35
議題 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 
会場名 名古屋工業大学 講堂会議室 
住所 〒466-8555 名古屋市昭和区御器所町
交通案内 JR 中央本線「鶴舞」下車(名大病院口)徒歩約7分
http://www.nitech.ac.jp/campus/location.html
会場世話人
連絡先
名古屋工業大学・江川孝志
052-735-5544
お知らせ ◎27日研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.
◎初日一番目に予定されていた講演がキャンセルとなったため、初日の開始時間が9時25分に変更になりました。
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月27日(木) 午前 
09:25 - 18:05
  09:25-09:30 委員長挨拶(開会) ( 5分 )
(1) 09:30-09:55 RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製 ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 関口寛人菊池昭彦岸野克巳上智大
(2) 09:55-10:20 GaNナノコラムにおけるランダムレージング ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 酒井 優岸野克巳菊池昭彦関口寛人上智大/JST)・猪瀬裕太上智大)・江馬一弘大槻東巳上智大/JST
(3) 10:20-10:45 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討 ED2008-154 CPM2008-103 LQE2008-98 塩田倫也富田祐貴杉山正和霜垣幸浩中野義昭東大
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
(4) 10:55-11:20 ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価 ED2008-155 CPM2008-104 LQE2008-99 小林 篤上野耕平下元一馬太田実雄東大)・藤岡 洋尾嶋正治東大/JST)・天内英貴長尾 哲堀江秀善三菱化学
(5) 11:20-11:45 深紫外・紫外域半導体発光デバイスのためのAlNテンプレートの高品質化 ED2008-156 CPM2008-105 LQE2008-100 武田智仁安斉秀晃川西英雄工学院大
(6) 11:45-12:10 RF-MBE法を用いたLiAlO2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価 ED2008-157 CPM2008-106 LQE2008-101 高木悠介野沢浩一山口智広荒木 努名西 憓之立命館大
  12:10-13:10 昼食 ( 60分 )
(7) 13:10-13:35 ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性 ED2008-158 CPM2008-107 LQE2008-102 遠野充明張 晶直井美貴酒井士郎徳島大)・和地順蔵SCIVAX
(8) 13:35-14:00 GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減 ED2008-159 CPM2008-108 LQE2008-103 本田 徹小宮山重利増山佳宏渡邊謙二工学院大
(9) 14:00-14:25 45°傾斜ミラーを有する水平共振器型面発光レーザ ED2008-160 CPM2008-109 LQE2008-104 川口真生田村聡之油利正昭パナソニック
  14:25-14:35 休憩 ( 10分 )
(10) 14:35-15:00 400mW級GaN系青紫色半導体レーザ ED2008-161 CPM2008-110 LQE2008-105 亀山真吾久納康光井下京治井上大二朗別所靖之後藤壮謙國里竜也三洋電機
(11) 15:00-15:25 P型伝導InN実現とその物性評価 ~ 現状と問題点について ~ ED2008-162 CPM2008-111 LQE2008-106 吉川明彦王 新強崔 成伯石谷善博千葉大
(12) 15:25-15:50 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス ED2008-163 CPM2008-112 LQE2008-107 崔 成伯結城明彦渡邊宏志石谷善博吉川明彦千葉大
(13) 15:50-16:15 マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード ED2008-164 CPM2008-113 LQE2008-108 船戸 充林 敬太上田雅也川上養一京大)・成川幸男向井孝志日亜化学
  16:15-16:25 休憩 ( 10分 )
(14) 16:25-16:50 AlGaNのMOVPE成長中における基板の反り制御 ED2008-165 CPM2008-114 LQE2008-109 小川原悠哉生川満久三宅秀人平松和政三重大
(15) 16:50-17:15 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価 ED2008-166 CPM2008-115 LQE2008-110 片桐佑介奥浦一輝呉 潔君三宅秀人平松和政三重大)・江崎哲也桑野範之九大
(16) 17:15-17:40 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化 ED2008-167 CPM2008-116 LQE2008-111 野口憲路理研/埼玉大/JST)・平山秀樹理研/JST)・乗松 潤理研/埼玉大/JST)・鎌田憲彦埼玉大/JST
(17) 17:40-18:05 ELO-AINテンプレート上に作製した270nm帯ALGaN紫外LED ED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112 乗松 潤平山秀樹藤川紗千恵野口憲路理研/埼玉大/JST)・高野隆好理研/パナソニック電工)・椿 健治理研/埼玉大/JST)・鎌田憲彦埼玉大/JST
11月28日(金) 午前 
09:00 - 16:35
(18) 09:00-09:25 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED ED2008-169 CPM2008-118 LQE2008-113 平山秀樹藤川紗千恵理研/埼玉大/JST)・高野隆好椿 健治松下電工
(19) 09:25-09:50 MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体計算解析 ED2008-170 CPM2008-119 LQE2008-114 平子 晃市川晶也中村健一大川和宏東京理科大
(20) 09:50-10:15 InGaNの2種の柱面からの発光特性 ED2008-171 CPM2008-120 LQE2008-115 蟹江 壽明石健一積木秀実東京理科大
(21) 10:15-10:40 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測 ED2008-172 CPM2008-121 LQE2008-116 山口敦史金沢工大
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
(22) 10:50-11:15 AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与えるフィールドプレート効果の2次元解析 ED2008-173 CPM2008-122 LQE2008-117 中島 敦板垣圭一堀尾和重芝浦工大
(23) 11:15-11:40 AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計 ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118 酒井亮輔岡井智隆塩島謙次葛原正明福井大
(24) 11:40-12:05 HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション ~ HfO2/AlGaN界面の影響 ~ ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 林 慶寿杉浦 俊岸本 茂水谷 孝名大
  12:05-13:05 昼食 ( 60分 )
(25) 13:05-13:30 ALD成膜HfO2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価 ED2008-176 CPM2008-125 LQE2008-120 合田祐司林 慶寿大野雄高岸本 茂水谷 孝名大
(26) 13:30-13:55 p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 李 旭黒内正仁岸本 茂水谷 孝名大)・中村文彦パウデック
(27) 13:55-14:20 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器 ED2008-178 CPM2008-127 LQE2008-122 多木俊裕吉川俊英金村雅仁今西健治牧山剛三岡本直哉常信和清原 直紀富士通/富士通研
(28) 14:20-14:45 Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化 ED2008-179 CPM2008-128 LQE2008-123 鈴江隆晃鈴木暢倫野村幸靖江川孝志名工大
  14:45-14:55 休憩 ( 10分 )
(29) 14:55-15:20 Flat Surface and High Electron Mobility of InAlN/AlGaN/AlN/GaN Heterostructures ED2008-180 CPM2008-129 LQE2008-124 Masanobu HirokiNarihiko MaedaTakashi KobayashiNTT
(30) 15:20-15:45 EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析 ED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125 石堂輝樹松尾尚慶片山琢磨上田哲三井上 薫上田大助パナソニック
(31) 15:45-16:10 AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 束原 肇中村成志奥村次徳首都大東京
(32) 16:10-16:35 Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討 ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 高橋紀行中村成志奥村次徳首都大東京

問合先と今後の予定
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 山中 孝之(NTT)
TEL 046-240-4403, FAX 046-240-2859
E-: taecl 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E-aecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E- : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E- : oba 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 清水英彦(新潟大学)
TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811
E-: engi-u

竹村 泰司(横浜国立大学)
TEL 045-339-4151, FAX 045-339-4151
E-: y 


Last modified: 2008-10-31 19:42:16


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