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講演抄録/キーワード
講演名 2008-11-27 16:50
周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価
片桐佑介奥浦一輝呉 潔君三宅秀人平松和政三重大)・江崎哲也桑野範之九大ED2008-166 CPM2008-115 LQE2008-110 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-166 CPM2008-115 LQE2008-110
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文献情報 信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-110, pp. 65-70, 2008年11月.
資料番号 LQE2008-110 
発行日 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2008-11-27 - 2008-11-28 
開催地(和) 名古屋工業大学 
開催地(英) Nagoya Institute of Technology 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 
テーマ(英) Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2008-11-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low-pressure HVPE growth and characterization of AlN on period-trench-pattered substrate 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 片桐 佑介 / Yusuke Katagiri / カタギリ ユウスケ
第1著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥浦 一輝 / Kazuteru Okuura / オクウラ カズテル
第2著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 呉 潔君 / Jiejun Wu / ウ ジェジュン
第3著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト
第4著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ
第5著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 江崎 哲也 / Tetsuya Ezaki / エザキ テツヤ
第6著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 桑野 範之 / Noriyuki Kuwano / クワノ ノリユキ
第7著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-11-27 16:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2008-166, CPM2008-115, LQE2008-110 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) 
ページ範囲 pp.65-70 
ページ数
発行日 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) 


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