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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-27 13:10 ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性 ○遠野充明・張 晶・直井美貴・酒井士郎（徳島大）・和地順蔵（SCIVAX）  ED2008-158 CPM2008-107 LQE2008-102 |
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| 抄録 | （和） | ナノインプリント技術および反応性イオンエッチング(RIE)を用いて，p-GaN上に正三角形状に配置した周期的円柱パターンを4種類形成した．GaNに対する反応ガスはBCl3およびCl2を用い，Niに対する反応ガスはArを用いた．ナノ構造の直径/周期(m)/高さは135nm/200nm/96nm，184nm/297nm96nm，232nm/395nm/103nm，284nm/498nm/103nmであった．これらナノ構造を有する試料に電極をつけ，発光特性を調べると，中心発光波長415nmの光に対して，周期(m)200nm，297nmでは，120°対称の光の筋が得られ，周期(m)395では，60°対称の光の筋が得られ，周期(m)498nmでも対称的な光の筋が得られた．この光の筋はGaN中における光の半波長の整数倍になる周期の方向と一致した． |
| （英） | We have fabricated several hundreds nano-scale periodic structure on p-GaN by using nano-imprint technique and RIE technique with column shape. We used BCl3 and Cl2 gas for etching of GaN and Ar gas for etching of Ni. The diameter, period and height of these structures were 136nm/200nm/96nm, 184nm/297nm/90nm, 232nm/400nm/94nm and 284nm/498nm/103nm, respectively. After deposition of p and n electrode, emission study by current injection was performed. The peak wavelength was 415nm. The output light from 200nm and 300nm period samples had 3-fold rotational symmetry and 6-fold rotational symmetry for 395nm period sample. The 498nm period samples had symmetrical output light. The direction of output light was corresponded to the direction of nano-structures whose periods had integer multiple of the half-wave length in GaN. | |
| キーワード | （和） | ナノインプリント / GaN / 周期的構造 / 電流注入発光特性 / / / / |
| （英） | Nano-imprint / GaN / periodic structure / Electroluminescence / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-102, pp. 29-32, 2008年11月. | |
| 資料番号 | LQE2008-102 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-158 CPM2008-107 LQE2008-102 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electroluminescence study of GaN based devices with several hundreds nano-scale periodic structure fabricated by nano-imprint technique |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノインプリント / Nano-imprint |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 周期的構造 / periodic structure |
| キーワード(4)（和/英） | 電流注入発光特性 / Electroluminescence |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠野 充明 / Mitsuaki Tohno / トオノ ミツアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 張 晶 / Zhang Jing / チョウ ショウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 直井 美貴 / Yoshiki Naoi / ナオイ ヨシキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 士郎 / Shiro Sakai / サカイ シロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 和地 順蔵 / Junzo Wachi / ワチ ジュンゾウ |
| 第5著者 所属（和/英） | SCIVAX株式会社 (略称： SCIVAX) SCIVAX Corporation (略称： SCIVAX Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-27 13:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2008-158, CPM2008-107, LQE2008-102 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.29-32 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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