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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-27 17:15 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化 ○野口憲路（理研/埼玉大/JST）・平山秀樹（理研/JST）・乗松 潤（理研/埼玉大/JST）・鎌田憲彦（埼玉大/JST）  ED2008-167 CPM2008-116 LQE2008-111 |
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| 抄録 | （和） | 波長210nm～350nm帯の紫外LED・LDは様々な研究グループで開発が進められている。しかし発光効率は低く、特に250nm以下の波長帯では報告例も少ない。我々はサファイア基板上で(In)AlGaN多重量子井戸を用いて、波長220～350nm帯の高効率紫外発光デバイスの実現を目指している。今回は1.6nm程度の幅の狭いAlGaN量子井戸を用いることにより、2.6nmの量子井戸の時に比べ約4倍発光強度が増大することを明らかにした。またAlN電子ブロック層を用いることにより電子のオーバーフローを抑制し、p層からの発光を抑えて量子井戸からの発光が増大することを明らかにした。これらの工夫により波長234nmにおいて出力0.4mW、外部量子効率0.034%、波長241nmにおいて出力1.13mW、外部量子効率0.084%を室温ＣＷ動作において実現した。 |
| （英） | 210-350 nm-band high-efficiency ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) are very attractive light sources for the application to sterilization, medical fields etc. In this study, we realized high-power operations of AlGaN multi-quantum well (MQW) LEDs on high quality AlN/sapphire templates. We obtained significant increase of the 220 nm-band emission from AlGaN MQW LEDs by reducing the quantum well thickness from 4 nm to 1.5 nm. We also introduced AlN electron blocking layer (EBL) in order to improve the electron injection efficiency by suppressing electron overflow. We revealed that the output power of the 250 nm-band AlGaN LEDs was markedly increased by introducing AlN EBL. We obtained output power of 0.4mW and the external quantum efficiency (EQE) of 0.034% from 234nm AlGaN-MQW LED under room temperature (RT) continuous wave (CW) operation. | |
| キーワード | （和） | AlGaN / 紫外LED / MOCVD / 電子ブロック層 / / / / |
| （英） | AlGaN / UV-LEDs / MOCVD / electron blocking layer / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-111, pp. 71-76, 2008年11月. | |
| 資料番号 | LQE2008-111 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-167 CPM2008-116 LQE2008-111 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Toward high-power operation of 230nm-band AlGaN UV-LED |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外LED / UV-LEDs |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | 電子ブロック層 / electron blocking layer |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 憲路 / Norimichi Noguchi / ノグチ ノリミチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 理化学研究所/埼玉大学/JST CREST (略称： 理研/埼玉大/JST) RIKEN/Saitama University/JST CREST (略称： RIKEN/Saitama Univ./JST CREST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 理化学研究所/JST CREST (略称： 理研/JST) RIEKN/JST CREST (略称： RIKEN/JST CREST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 乗松 潤 / Jun Norimatsu / ノリマツ ジュン |
| 第3著者 所属（和/英） | 理化学研究所/埼玉大学/JST CREST (略称： 理研/埼玉大/JST) RIKEN/Saitama University (略称： RIKEN/Saitama Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌田 憲彦 / Norihiko Kamata / カマタ ノリヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 埼玉大学/JST CREST (略称： 埼玉大/JST) Saitama University/JST CREST (略称： Saitama Univ./JST CREST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-27 17:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2008-167, CPM2008-116, LQE2008-111 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.71-76 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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