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講演抄録/キーワード
講演名 2008-11-28 15:45
AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション
束原 肇中村成志奥村次徳首都大東京ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126
抄録 (和) AlGaN/GaNヘテロ構造にMEMS技術(マイクロオリガミ)を適用し,界面に生じる二次元電子ガス(2DEG)の影響を調べた。本研究ではこの技術の基本的な構造を用い,有限要素法および有限差分法を用いることで以下の解析を行った。1.AlGaN/GaNヘテロ構造における格子歪みと曲げ変形,2.曲げ変形に伴うピエゾ分極の変化,3.ピエゾ分極の変化に伴う2DEGの変化。解析の結果,Al0.2Ga0.8Nの場合,2DEGが約37%減少することがわかった。この結果から,マイクロオリガミ技術を用いることで,従来の歪み技術の限界を超えて2DEGを制御できる可能性があることを示した。 
(英) We have examined the effect on a two-dimensional electron gas(2DEG) in AlGaN/GaN hetero structures by using the “micro-origami” method. In this study, lattice strain, bending deformation, and variations of piezoelectric charge as well as 2DEG density were analyzed for a basic cantilever of the bimetal structure. These simulations were performed by using the finite element method and the finite difference method. As a result, the 2DEG density at the Al0.2Ga0.8N/GaN hetero-interface was found to decrease approximately 37%. The result suggests that the 2DEG density is controllable in the micro-origami type of MEMS structures.
キーワード (和) AlGaN/GaN / ピエゾ分極 / 2DEG / 格子歪み / MEMS / マイクロオリガミ技術 / /  
(英) AlGaN/GaN / Piezoelectric charges / 2DEG / lattice strain / MEMS / micro-origami / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 321, ED2008-182, pp. 149-154, 2008年11月.
資料番号 ED2008-182 
発行日 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2008-11-27 - 2008-11-28 
開催地(和) 名古屋工業大学 
開催地(英) Nagoya Institute of Technology 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 
テーマ(英) Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2008-11-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Simulation of Bending Deformation and Two-dimensional Electron Gas Density in AlGaN/GaN Hetero Structure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) AlGaN/GaN / AlGaN/GaN  
キーワード(2)(和/英) ピエゾ分極 / Piezoelectric charges  
キーワード(3)(和/英) 2DEG / 2DEG  
キーワード(4)(和/英) 格子歪み / lattice strain  
キーワード(5)(和/英) MEMS / MEMS  
キーワード(6)(和/英) マイクロオリガミ技術 / micro-origami  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 束原 肇 / Hajime Tsukahara / ツカハラ ハジメ
第1著者 所属(和/英) 首都大学東京大学院 (略称: 首都大東京)
Tokyo Metropolitan University (略称: Tokyo Metropolitan univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 成志 / Seiji Nakamura / ナカムラ セイジ
第2著者 所属(和/英) 首都大学東京大学院 (略称: 首都大東京)
Tokyo Metropolitan University (略称: Tokyo Metropolitan univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥村 次徳 / Tsugunori Okumura / オクムラ ツグノリ
第3著者 所属(和/英) 首都大学東京大学院 (略称: 首都大東京)
Tokyo Metropolitan University (略称: Tokyo Metropolitan univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-11-28 15:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2008-182, CPM2008-131, LQE2008-126 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) 
ページ範囲 pp.149-154 
ページ数
発行日 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) 


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