講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-11-28 15:45
AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション ○束原 肇・中村成志・奥村次徳(首都大東京) ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 |
抄録 |
(和) |
AlGaN/GaNヘテロ構造にMEMS技術(マイクロオリガミ)を適用し,界面に生じる二次元電子ガス(2DEG)の影響を調べた。本研究ではこの技術の基本的な構造を用い,有限要素法および有限差分法を用いることで以下の解析を行った。1.AlGaN/GaNヘテロ構造における格子歪みと曲げ変形,2.曲げ変形に伴うピエゾ分極の変化,3.ピエゾ分極の変化に伴う2DEGの変化。解析の結果,Al0.2Ga0.8Nの場合,2DEGが約37%減少することがわかった。この結果から,マイクロオリガミ技術を用いることで,従来の歪み技術の限界を超えて2DEGを制御できる可能性があることを示した。 |
(英) |
We have examined the effect on a two-dimensional electron gas(2DEG) in AlGaN/GaN hetero structures by using the “micro-origami” method. In this study, lattice strain, bending deformation, and variations of piezoelectric charge as well as 2DEG density were analyzed for a basic cantilever of the bimetal structure. These simulations were performed by using the finite element method and the finite difference method. As a result, the 2DEG density at the Al0.2Ga0.8N/GaN hetero-interface was found to decrease approximately 37%. The result suggests that the 2DEG density is controllable in the micro-origami type of MEMS structures. |
キーワード |
(和) |
AlGaN/GaN / ピエゾ分極 / 2DEG / 格子歪み / MEMS / マイクロオリガミ技術 / / |
(英) |
AlGaN/GaN / Piezoelectric charges / 2DEG / lattice strain / MEMS / micro-origami / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 321, ED2008-182, pp. 149-154, 2008年11月. |
資料番号 |
ED2008-182 |
発行日 |
2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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