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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-28 15:20 EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析 ○石堂輝樹・松尾尚慶・片山琢磨・上田哲三・井上 薫・上田大助（パナソニック）  ED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125 |
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| 抄録 | （和） | GaN系トランジスタの低コスト化を実現するために、従来の高価なSiC基板に代わる大口径Si基板上の結晶成長が検討されている。これまでは、GaNとSiとの格子定数と熱膨張係数のミスマッチによりGaNに発生するクラックが大きな課題であったが、AlN/GaN多層構造を導入し膜中のストレスを緩和することで高品質かつ厚膜のGaNをSi基板上に結晶成長することに成功している。Si基板上においてGaNの結晶性をさらに向上させるためには膜中の結晶歪みを制御することが極めて重要であり、そのためには、まず膜中歪みの局所分布を正確に評価する技術を確立することが必要不可欠である。しかしながら、従来のX線回折法やラマン分光法は、空間分解能が1μm程度と低いため、局所歪み分布の評価が困難であった。そこで、多層膜の役割を調べるために、我々は100nm以下の高空間分解能を有するEBSD(electron backscatter diffraction)法を用いて多層膜の有無によるGaN膜の歪みの違いを評価した。その結果、多層膜上のGaN膜には、特に多層膜との界面付近に圧縮歪みが存在していることを明らかにした。この圧縮歪みがクラックを抑制し、クラックフリーのGaN厚膜成長を可能にしていると考えられる。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | EBSD / GaN / 歪み / AlN/GaN多層膜 / / / / |
| （英） | EBSD / GaN / strain / AlN/GaN multilayer / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 321, ED2008-181, pp. 145-148, 2008年11月. | |
| 資料番号 | ED2008-181 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Depth profiles of strain in AlGaN/GaN heterostructures grown on si by electron backscatter diffraction technique |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | EBSD / EBSD |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 歪み / strain |
| キーワード(4)（和/英） | AlN/GaN多層膜 / AlN/GaN multilayer |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石堂 輝樹 / Teruki Ishido / イシドウ テルキ |
| 第1著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Co., Ltd. (略称： Panasonic) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 尚慶 / Hisayoshi Matsuo / マツオ ヒサヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Co., Ltd. (略称： Panasonic) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片山 琢磨 / Takuma Katayama / カタヤマ タクマ |
| 第3著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Co., Ltd. (略称： Panasonic) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ |
| 第4著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Co., Ltd. (略称： Panasonic) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 薫 / Kaoru Inoue / イノウエ カオル |
| 第5著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Co., Ltd. (略称： Panasonic) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 大助 / Daisuke Ueda / ウエダ ダイスケ |
| 第6著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Co., Ltd. (略称： Panasonic) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-28 15:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-181, CPM2008-130, LQE2008-125 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.145-148 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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