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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-28 09:50 InGaNの2種の柱面からの発光特性 ○蟹江 壽・明石健一・積木秀実（東京理科大）  ED2008-171 CPM2008-120 LQE2008-115 |
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| 抄録 | （和） | 青色のカソードルミネッセンス(CL)を示すInGaN 結晶をGaN とIn 硫化物を混ぜ合わせて1000℃でアンモニアと反応させて得た。得られたInGaN 結晶は12 面の柱面のある晶癖を持っていた。高空間分解能CL 装置でこの結晶を観察したところ、強い青色CL 発光を示す五角形の柱面と、あまり強い発光を示さない長方形の柱面が交互に並んでいた。これら2 種の柱面の指数付けを後方散乱電子回折像(EBSP)を用いて行い、五角形の柱面は{11-20} a 面、長方形の柱面は{1-100} m 面であるとした。GaN の晶癖面の違いによりその上に成長するInGaN の発光特性が異なる点について議論する。 |
| （英） | InGaN crystals yielding blue cathodoluminescence (CL) were grown by the nitridation of the mixture of GaN crystals with indium sulfide powders in an ammonia flow at 1000°C. Grown InGaN crystals have crystal habit with twelve prismatic planes. By a highly spatially resolved CL imagining study on a scanning electron microscope equipped with a monochromator the prismatic planes are grouped into two groups: pentagonal shaped planes yielding blue CL and rectangular planes without luminescence. The pentagonal shaped plane is assigned to the {11-20} a-plane by electron backscattering pattern (EBSP) method. InGaN growth with In content controlled by GaN growth planes is discussed. | |
| キーワード | （和） | InGaN / GaN / 低電圧蛍光体 / m面 / a面 / CL特性 / EBSP / |
| （英） | InGaN / GaN / low voltage phosphor / m plane / a plane / CL / EBSP / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-115, pp. 93-96, 2008年11月. | |
| 資料番号 | LQE2008-115 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-171 CPM2008-120 LQE2008-115 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaNの2種の柱面からの発光特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Luminescence properties from two types of prismatic planes of InGaN |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 低電圧蛍光体 / low voltage phosphor |
| キーワード(4)（和/英） | m面 / m plane |
| キーワード(5)（和/英） | a面 / a plane |
| キーワード(6)（和/英） | CL特性 / CL |
| キーワード(7)（和/英） | EBSP / EBSP |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蟹江 壽 / Hisashi Kanie / カニエ ヒサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo University of Science) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 明石 健一 / Kenichi Akashi / アカシ ケンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo University of Science) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 積木 秀実 / Hidemi Tumuki / ツムキ ヒデミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo University of Science) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-28 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2008-171, CPM2008-120, LQE2008-115 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.93-96 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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