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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-28 10:15 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測 ○山口敦史（金沢工大）  ED2008-172 CPM2008-121 LQE2008-116 |
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| 抄録 | （和） | 半極性・無極性面GaN基板上InGaN量子井戸では、c軸に垂直な方向の偏光が強く発光するため、端面出射型レーザを作製する際にm面などのへき開しやすい面を共振器ミラーに用いることができないという不都合が生じている。そこで、今回、偏光制御の可能性を探るため、AlInGaN混晶材料を基板に用いた場合の活性層InGaN量子井戸の偏光特性を理論予測した。その結果、基板の面方位・混晶組成、活性層の量子井戸幅などを制御することによって、m面などを共振器ミラーに用いるのに都合の良い偏光特性が実現可能であることがわかった。 |
| （英） | Polarization properties in InGaN quantum wells on non-C AlInGaN alloy substrates are theoretically investigated. It is shown that the polarization direction of quantum-well emission switches depending on the substrate alloy composition, substrate orientation and quantum well width, and that these polarization switches are caused by the strain anisotropy and quantum confinement effects in the quantum wells. On the basis of the calculation results, it is predicted that the utilization of InGaN or AlInGaN alloy substrates is beneficial to obtain desirable polarization properties for the formation of cleaved-facet cavity mirrors in laser diodes on non-C substrates. | |
| キーワード | （和） | 光学的異方性 / 偏光特性 / InGaN量子井戸 / 混晶基板 / 価電子帯 / 歪み / 理論計算 / |
| （英） | optical anisotropy / polarization / InGaN quantum well / alloy substrates / valence band / strain / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-116, pp. 97-102, 2008年11月. | |
| 資料番号 | LQE2008-116 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-172 CPM2008-121 LQE2008-116 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theroretical Calculations of Polarization Properties in InGaN Quantum Wells on Non-C (Al)InGaN Alloy Substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光学的異方性 / optical anisotropy |
| キーワード(2)（和/英） | 偏光特性 / polarization |
| キーワード(3)（和/英） | InGaN量子井戸 / InGaN quantum well |
| キーワード(4)（和/英） | 混晶基板 / alloy substrates |
| キーワード(5)（和/英） | 価電子帯 / valence band |
| キーワード(6)（和/英） | 歪み / strain |
| キーワード(7)（和/英） | 理論計算 / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Technology) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-28 10:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2008-172, CPM2008-121, LQE2008-116 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.97-102 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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