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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-28 11:40 HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション ～ HfO2/AlGaN界面の影響 ～ ○林 慶寿・杉浦 俊・岸本 茂・水谷 孝（名大）  ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 |
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| 抄録 | （和） | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのシミュレーションを行い、デバイスの動作機構の解明及び界面トラップのデバイス特性への影響の評価を行った。Vgsを大きくすると最初gmは増加するが、Vgsをさらに大きくするとgmは低下した。これは、HfO2/AlGaN界面にチャネルが形成され、HfO2/AlGaN界面の電気特性が良くないためである。また、HfO2/AlGaN界面にDonor型のトラップが存在する場合についてもシミュレーションを行った。この場合、しきい値電圧が負側にシフトし、gmの低下がみられた。これはVgsの増加が界面トラップへの電荷注入に費やされAlGaN/GaN界面での電荷密度変調に寄与しないためである。しきい値電圧の変化量及びgmの低下はトラップ濃度に依存し、トラップ濃度を4x1011 cm-2 以下にすれば、しきい値シフトを0.3 V以下に、gmの低下を10%以下に抑えることができることが明らかになった。 |
| （英） | Two-dimensional device simulations of HfO2/AlGaN/GaN MOSFETs have been carried out to investigate the operation mechanism and the effects of interface traps on the device characteristics. First, devices without the traps were studied. Although the transconductance increases with increase in the gate voltage for small Vgs, it decreases for larger Vgs. This is because a 2nd channel is formed at HfO2/AlGaN interface where the electron velocity is rather low. Next, simulations for devices with donor type traps at HfO2/AlGaN interface have been performed. The shift of the threshold voltage to the negative direction and the decrease in gm different from previous gm decrease are observed. The gm decrease is caused because the increase of Vgs is expended to increase the trapped electrons and can not change the electron density at the AlGaN/GaN interface. Amounts of the threshold voltage shift and the gm decrease are dependent on the trap concentration. It has been shown that if the trap concentration is less than 3.5x1011 cm-2, the threshold voltage shift is less than 0.3 V and the gm decrease is less than 10%. | |
| キーワード | （和） | HfO2/AlGaN/GaN MOSFET / デバイスシミュレーション / 界面トラップ / / / / / |
| （英） | HfO2/AlGaN/GaN MOSFET / device simulation / interface trap / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 321, ED2008-175, pp. 115-120, 2008年11月. | |
| 資料番号 | ED2008-175 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション |
| サブタイトル（和） | HfO2/AlGaN界面の影響 |
| タイトル（英） | Device simulation of HfO2/AlGaN/GaN MOSFET |
| サブタイトル（英） | effects of HfO2/AlGaN interface |
| キーワード(1)（和/英） | HfO2/AlGaN/GaN MOSFET / HfO2/AlGaN/GaN MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(3)（和/英） | 界面トラップ / interface trap |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 慶寿 / Yoshihisa Hayashi / ハヤシ ヨシヒサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉浦 俊 / Shun Sugiura / スギウラ シュン |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-28 11:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-175, CPM2008-124, LQE2008-119 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.115-120 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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