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| 講演名 | 2008-11-28 14:55 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造 ○廣木正伸・前田就彦・小林 隆（NTT）  ED2008-180 CPM2008-129 LQE2008-124 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-180 CPM2008-129 LQE2008-124 |
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| 抄録 | （和） | 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造を作製した．InAlNのIn組成0.13から0.31の間で電子濃度が2.3x1013から9 x1012 cm-2と幅広く変化すること，電子移動度が1050から1960 cm2/Vsと増加することを確認した．HFETを作製したところ，230 mS/mmと高い相互コンダクタンスを得た．また従来構造InAlN/AlN/GaN HFETと比較し，新構造ではサブスレッショルド特性，暗電流が改善された．これは表面平坦性の改善によるものと考えられる． |
| （英） | We fabricated InxAl1-xN/Al0.38Ga0.62N/AlN/GaN hetero-structures with flat surfaces and high electron mobility. The density of the two-dimensional electron gas varies over a wide range and decreases from 2.3 x 1013 to 9 x 1012 cm-2. The electron mobility is higher than that of conventional InAlN/AlN/GaN in the range of In content in InAlN from 0.13 to 0.31. The mobility increases from 1050 to 1960 cm2/V·s with increasing In content. A high transconductance of 230 mS/mm and a large drain current of 1.2 A/mm are obtained in field effect transistors made from both structures. For the new structure, the subthreshold swing is lowered 1.5 to 0.6 V/dec. and the dark current is reduced 10-2 to 10-3 A/mm. The smoother surface of the new structure improves these parameters. | |
| キーワード | （和） | GaN / AlGaN / InAlN / HEMT / HFET / / / |
| （英） | gaN / AlGaN / InAlN / HEMT / HFET / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 321, ED2008-180, pp. 141-144, 2008年11月. | |
| 資料番号 | ED2008-180 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-180 CPM2008-129 LQE2008-124 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-180 CPM2008-129 LQE2008-124 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Flat Surface and High Electron Mobility of InAlN/AlGaN/AlN/GaN Heterostructures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / gaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | InAlN / InAlN |
| キーワード(4)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣木 正伸 / Masanobu Hiroki / ヒロキ マサノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Labratories (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 就彦 / Narihiko Maeda / マエダ ナリヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Labratories (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 隆 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Labratories (略称： NTT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-28 14:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-180, CPM2008-129, LQE2008-124 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.141-144 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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