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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-28 13:05 ALD成膜HfO2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価 ○合田祐司・林 慶寿・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大）  ED2008-176 CPM2008-125 LQE2008-120 |
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| 抄録 | （和） | ALDで成膜したHfO2をゲート酸化膜とするAlGaN/GaN MOSFETを作製し、特性評価を行った。HfO2の成膜温度は低い程ゲートリーク電流が抑えられていたが、gmの最大値は成膜温度250℃で得られた。閾値がHfO2膜厚に対して線形に依存することから、HfO2/AlGaN界面には正の電荷を有する準位が多数存在すると考えられる。HfO2膜を酸素中でアニールすることで、この界面準位が低減された。 |
| （英） | The AlGaN/GaN MOSFETs with HfO2 as a gate insulator deposited by ALD has been fabricated and characterized. The lower the deposition temperature was, the smaller the gate leak current was. On the other hand, gm max was obtained for the device with HfO2 deposited at 250 degC. The threshold voltage was linearly dependent on the thickness of the HfO2. This means that trapped charge at HfO2/AlGaN interface was responsible for this threshold voltage change. It has been shown that the interface states between HfO2 and AlGaN were decreased by annealing in O2 atmosphere. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN / MOSFET / HfO2 / ALD / / / / |
| （英） | AlGaN/GaN / MOSFET / HfO2 / ALD / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 321, ED2008-176, pp. 121-124, 2008年11月. | |
| 資料番号 | ED2008-176 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-176 CPM2008-125 LQE2008-120 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ALD成膜HfO2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Characterization of AlGaN/GaN MOSFETs with HfO2 Gate Insulator deposited by ALD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| キーワード(4)（和/英） | ALD / ALD |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 合田 祐司 / Yuji Goda / ゴウダ ユウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 慶寿 / Yoshihisa Hayashi / ハヤシ ヨシヒサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 雄高 / Yutaka Ohno / オオノ ユタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-28 13:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-176, CPM2008-125, LQE2008-120 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.121-124 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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