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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-05 16:10 F2表面処理したHfO2/Ge MIS構造の電気的特性評価 ○今庄秀人・Hyun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則（阪大）  SDM2008-195 |
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| 抄録 | （和） | High-k/Ge MIS構造は次世代高移動度FETのゲート構造として注目されている．しかし、C-V特性，リーク電流などの電気的特性は，Si MIS構造と比較して非常に劣っている．そこでF_2処理により界面のダングリングボンドを終端し，電気的特性の改善と，界面準位の低減を試みた．High-k材料としてよく用いられているHfO_2薄膜を光MOCVD法により作製した． F_2処理はHfO_2堆積直前にGe表面へF_2(5%)ガスを曝すことで行った。C-V，J-V特性の測定結果から，F_2処理により電気的特性が改善されることがわかった．さらに，HfO_2/Ge MIS界面準位をDLTSにより評価し，Ge界面のバンドギャップ中の準位を求めた．その結果，F_2処理によりバンドギャップ全体にわたり，界面準位が低減するということがわかり， F_2処理が界面準位を低減することが示された． |
| （英） | High-k/Ge MIS is expected as gate structure of the next-generation FET which has high mobility. However, electrical performance of High-k/Ge MIS structure such as C-V and J-V characteristics is very inferior to those of Si MIS structure. So, we have tried to improve the electrical properties and interface states by fluorine treatment. We used HfO_2 film as the high-k dielectrics deposited by photo-assisted MOCVD. Fluorine treatment was taken by exposing surface of germanium to fluorine (5%) gas before deposition of HfO_2 film. From the results of C-V and J-V measurements, it could be concluded that fluorine treatment improves the electrical properties of HfO_2/Ge MIS structure. Moreover, the interface states have been evaluated by deep leve transient spectroscopy (DLTS) method, which gives the interface trap density in the band-gap. The results were that the interface trap density in the band-gap of HfO_2/Ge MIS structure was decreased by fluorine treatment and the peaks found in the sample without fluorine treatment disappeared. So, fluorine treatment improves the interface property. | |
| キーワード | （和） | F_2処理 / Deep level transient spectroscopy (DLTS) / 界面準位 / HfO_2/Ge MIS / 光MOCVD / / / |
| （英） | fluorine treatment / Deep level transient spectroscopy (DLTS) / interface states / HfO_2/Ge MIS / photo-assisted MOCVD / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 335, SDM2008-195, pp. 59-64, 2008年12月. | |
| 資料番号 | SDM2008-195 | |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-195 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-12-05 - 2008-12-05 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパスA1-001 |
| 開催地（英） | Kyoto University, Katsura Campus, A1-001 |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | F2表面処理したHfO2/Ge MIS構造の電気的特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical characterization of HfO2/Ge MIS structure treated by fluorine gas |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | F_2処理 / fluorine treatment |
| キーワード(2)（和/英） | Deep level transient spectroscopy (DLTS) / Deep level transient spectroscopy (DLTS) |
| キーワード(3)（和/英） | 界面準位 / interface states |
| キーワード(4)（和/英） | HfO_2/Ge MIS / HfO_2/Ge MIS |
| キーワード(5)（和/英） | 光MOCVD / photo-assisted MOCVD |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今庄 秀人 / Hideto Imajo / イマジョウ ヒデト |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Hyun Lee / Hyun Lee / |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉岡 祐一 / Yuichi Yoshioka / ヨシオカ ユウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金島 岳 / Takeshi Kanashima / カナシマ タケシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥山 雅則 / Masanori Okuyama / オクヤマ マサノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-05 16:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-195 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.335 |
| ページ範囲 | pp.59-64 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) |
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