| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-05 10:50 X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究 ○松浦秀治・高橋美雪・小原一徳・山本和代・前田健寿・加川義隆（阪電通大）  SDM2008-185 |
|
| 抄録 | （和） | ペルチェ冷却で動作するX線検出素子であるSilicon Drift Detector（SDD）は，X線で発生した電子を効率よく収集するため，受光面の反対面にMOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）を形成し，素子内部に電界形成している．しかし，素子構造の簡素化による低価格化を目指し，MOSFETを含まない構造を検討した．さらに，有害元素（Cd等）の蛍光X線を検出できるように，Si基板の高抵抗率化・厚膜化を目指した構造を提案し，その可能性に関して実験より検討した． |
| （英） | In order to efficiently collect electrons produced by X-rays, a silicon drift detector (SDD) with Peltier cooling has MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) on the opposite plane to the X-ray incidence plane, which raise the price of SDD. To lower the price, a SDD without MOSFETs has been proposed and experimentally investigated. To detect fluorescent X-rays with high energies, such as the X-ray fluorescence of Cd, a new structure of SDD fabricated using high-resistivity Si has been proposed. | |
| キーワード | （和） | Silicon Drift Detector / X線Si検出素子 / 新構造 / 低価格 / / / / |
| （英） | Silicon Drift Detector / X-ray Si Detector / New Structure for X-ray Si Detector / Low-cost X-ray Si Detector / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 335, SDM2008-185, pp. 5-10, 2008年12月. | |
| 資料番号 | SDM2008-185 | |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-185 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-12-05 - 2008-12-05 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパスA1-001 |
| 開催地（英） | Kyoto University, Katsura Campus, A1-001 |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Research for Simplifying Structures of Si X-ray Detectors (Silicon Drift Detector) and Improving Sensitivity of High-Energy X-rays |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Silicon Drift Detector / Silicon Drift Detector |
| キーワード(2)（和/英） | X線Si検出素子 / X-ray Si Detector |
| キーワード(3)（和/英） | 新構造 / New Structure for X-ray Si Detector |
| キーワード(4)（和/英） | 低価格 / Low-cost X-ray Si Detector |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura / マツウラ ヒデハル |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication University) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 美雪 / Miyuki Takahashi / タカハシ ミユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication University) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小原 一徳 / Kazunori Kohara / コハラ カズノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication University) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 和代 / Kazuyo Yamamoto / ヤマモト カズヨ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication University) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 健寿 / Taketoshi Maeda / マエダ タケトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication University) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加川 義隆 / Yoshitaka Kagawa / カガワ ヨシタカ |
| 第6著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication University) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-05 10:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-185 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.335 |
| ページ範囲 | pp.5-10 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]