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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-12 11:25 1.3μm帯量子ドットDFBレーザ ～ 高密度量子ドットと縦型グレーティングの導入 ～ ○天野 建・五島敬史郎・菅谷武芳・小森和弘・森 雅彦（産総研）  LQE2008-132 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では高密度かつ高均一な量子ドット作製が可能になっており，これまでFPレーザの報告をしてきた。今回はこの量子ドットを用いたDFBレーザ構造を製作したので報告する。報告するDFB構造は縦型グレーティング構造を採用しており，光閉じ込めと光損失を最適化するためにHEM構造を新たに提案している。現在室温パルス動作にて，しきい値電流23mAが得られている。今回，位相シフト構造を導入していないため，単一周波数は実現していないが，DFB構造特有のダブルピークを実現している。また，波長温度依存性も0.077nm/KとDFBに起因する温度特性が得られている。 |
| （英） | We research a high performance QD laser with high density and quality QDs. We proposed Distributed Feed Back Laser with a vertical grating half-etching mesa distributed feedback (HEM-DFB) structure in this time. The HEM-DFB structure provides several advantages including a low scattering loss and wavelength stability and simple process because of non-regrowth step. The low threshold current of HEM-DFB is 23 mA. Also, we achieved a good wavelength stability control of two mode emission peaks and a high thermal stability of 0.077nm/K generated by the HEM-DFB structure. | |
| キーワード | （和） | 量子ドット / DFBレーザ / / / / / / |
| （英） | QD / DFB / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 351, LQE2008-132, pp. 23-26, 2008年12月. | |
| 資料番号 | LQE2008-132 | |
| 発行日 | 2008-12-05 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2008-132 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2008-12-12 - 2008-12-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 地下3階2号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 1.3μm帯量子ドットDFBレーザ |
| サブタイトル（和） | 高密度量子ドットと縦型グレーティングの導入 |
| タイトル（英） | QD DFB Laser at 1.3μm |
| サブタイトル（英） | Using high density QD and HEM structure |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / QD |
| キーワード(2)（和/英） | DFBレーザ / DFB |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 建 / Takeru Amano / アマノ タケル |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： National Inst. of Adv Ind Sci and Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 五島 敬史郎 / Keishiro Goshima / ゴシマ ケイシロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： National Inst. of Adv Ind Sci and Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菅谷 武芳 / Takeyoshi Sugaya / スガヤ タケヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小森 和弘 / Kazuhiro Komori / コモリ カズヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： National Inst. of Adv Ind Sci and Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 雅彦 / Masahiko Mori / モリ マサヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： National Inst. of Adv Ind Sci and Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-12 11:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2008-132 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.23-26 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-12-05 (LQE) |
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