| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-20 11:25 HEMTのテラヘルツ帯プラズマ共鳴に与える寄生ゲートフリンジ容量の影響 ○馬籠伸紘・西村拓也（東北大）・Irina Khmyrova（会津大）・末光哲也（東北大）・Wojtek Knap（モンペリエ第2大）・尾辻泰一（東北大）  ED2008-195 |
|
| 抄録 | （和） | 高電子移動度トランジスタ（HEMT）の2次元電子ガス（2DEG）チャネル内で励起されるプラズモンの基本共鳴周波数に及ぼすゲート－チャネル間寄生容量に伴うフリンジング電界の影響を検討した。2DEGチャネルの真性ゲート領域と非ゲート領域部のフリンジング効果を表現するためにカスケード伝送線路（TL）等価回路モデルを新たに導入し、本等価回路モデルに基づいて2DEGチャネルのフリンジング領域のシート電子密度の空間分布と基本プラズモン共鳴周波数の表現式を導出した。解析式による計算結果とカスケードTLモデルに基づくIsSpiceシミュレーション結果はともに、フリンジング効果が基本プラズモン周波数の低下要因となることを示している。提案するモデルは、従来モデルに比して実験データをよく説明できる。 |
| （英） | Influence of fringing electric field due to nonideality of the gate-two-dimensional electron gas (2DEG) channel capacitance on fundamental resonant frequency of plasma waves in the high-electron mobility transistor (HEMT) channel was investigated. Cascaded transmission line (TL) equivalent circuit model was developed to represent the gated and ungated fringed regions of the 2DEG channel. Spatial distribution of sheet electron density in the fringed region of the 2DEG channel and expression for fundamental resonant frequency of plasma oscillation were obtained. Results of calculation and IsSpice simulation based on cascaded TL model show that fringing effects can be the cause of the fundamental plasma frequency reduction. The results obtained are in rather good agreement with experimental data. | |
| キーワード | （和） | 共鳴周波数 / プラズマ波 / HEMT / テラヘルツ / フリンジング効果 / カスケードTLモデル / / |
| （英） | resonant frequency / plasma waves / HEMT / THz / fringing effects / cascaded TL model / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 369, ED2008-195, pp. 53-58, 2008年12月. | |
| 資料番号 | ED2008-195 | |
| 発行日 | 2008-12-12 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-195 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2008-12-19 - 2008-12-20 |
| 開催地（和） | 東北大学電気通信研究所 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, THz-wave Devices and Systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HEMTのテラヘルツ帯プラズマ共鳴に与える寄生ゲートフリンジ容量の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of parasitic gate fringing capacitance on the terahertz plasma resonance in HEMT's |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共鳴周波数 / resonant frequency |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマ波 / plasma waves |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | テラヘルツ / THz |
| キーワード(5)（和/英） | フリンジング効果 / fringing effects |
| キーワード(6)（和/英） | カスケードTLモデル / cascaded TL model |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 馬籠 伸紘 / Nobuhiro Magome / マゴメ ノブヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西村 拓也 / Takuya Nishimura / ニシムラ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Irina Khmyrova / Irina Khmyrova / イリーナ キミロワ |
| 第3著者 所属（和/英） | 会津大学 (略称： 会津大) University of Aizu (略称： Univ. of Aizu) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 末光 哲也 / Tetsuya Suemitsu / スエミツ テツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | Wojtek Knap / Wojtek Knap / ウォイチェック クナップ |
| 第5著者 所属（和/英） | モンペリエ第2大学 (略称： モンペリエ第2大) CNRS,Universite Montpellier2 (略称： Univ. Montpellier2) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾辻 泰一 / Taiichi Otsuji / オツジ タイイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-20 11:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-195 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.369 |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-12-12 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]