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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-01-14 15:25 GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード ○石田秀俊・柴田大輔・松尾尚慶・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック）  ED2008-202 MW2008-167 |
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| 抄録 | （和） | GaNをはじめとする分極を有する窒化物系半導体材料により、高耐圧特性と低オン抵抗特性を両立できる新しい半導体接合を実現できることを示した。提案した接合モデル（Natural Super Junction）は、二次元デバイスシミュレーションと、新規に設計した複数のチャネルとデュアルリセス構造を有するダイオードにより、計算と実験の両面から確認した。本接合モデルに基づいて設計したダイオードは、耐圧とオン抵抗のトレードオフを克服し、耐圧9000Vを超える耐圧を維持したまま、オン抵抗を176mΩcm2まで低減させることができた。 |
| （英） | We propose a new breakdown mechanism of GaN-based electron devices called “Natural Super Junction”. The junction model is supported by device simulations and experiments for newly developed multi-channel diodes with a dual-recessed structure. Based on the model, the on-resistance of the diodes can be reduced keeping high breakdown voltages. The fabricated diode achieves extremely high breakdown voltage of 9300 V with low on-state resistance RonA of 176 mcm2, which is the record low value for GaN-based diodes with the breakdown voltage over 9000 V. | |
| キーワード | （和） | GaN / ダイオード / HFET / ピエゾ / 分極 / 耐圧 / シミュレーション / スーパージャンクション |
| （英） | GaN / diode / HFET / piezoelectric / polarization / breakdown voltage / simulation / super junction | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 376, ED2008-202, pp. 23-27, 2009年1月. | |
| 資料番号 | ED2008-202 | |
| 発行日 | 2009-01-07 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-202 MW2008-167 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2009-01-14 - 2009-01-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor ICs, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN-based Natural Super Junction Diodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ダイオード / diode |
| キーワード(3)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(4)（和/英） | ピエゾ / piezoelectric |
| キーワード(5)（和/英） | 分極 / polarization |
| キーワード(6)（和/英） | 耐圧 / breakdown voltage |
| キーワード(7)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| キーワード(8)（和/英） | スーパージャンクション / super junction |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 秀俊 / Hidetoshi Ishida / イシダ ヒデトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic Co.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴田 大輔 / Daisuke Shibata / シバタ ダイスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic Co.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 尚慶 / Hisayoshi Matsuo / マツオ ヒサヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic Co.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳原 学 / Manabu Yanagihara / ヤナギハラ マナブ |
| 第4著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic Co.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上本 康裕 / Yasuhiro Uemoto / ウエモト ヤスヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic Co.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ |
| 第6著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic Co.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / タナカ ツヨシ |
| 第7著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic Co.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 大助 / Daisuke Ueda / ウエダ ダイスケ |
| 第8著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic Co.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-01-14 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-202, MW2008-167 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.376(ED), no.377(MW) |
| ページ範囲 | pp.23-27 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-01-07 (ED, MW) |
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