講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-01-15 13:50
超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮 ○上澤岳史・山田真之・宮本恭幸・古屋一仁(東工大) ED2008-212 MW2008-177 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-212 MW2008-177 |
抄録 |
(和) |
あらまし InP/InGaAs HBTの超薄層高濃度ベース下におけるベース走行時間の解析を行った。20nm以下の様に超薄層化されたベース厚においてもプラズモン散乱がベース内のバリスティック輸送に与える影響は無視できないものであり、組成傾斜ベースを用いる事が重要である。また、組成傾斜ベースに関して、傾斜エネルギーとベースエミッタ間の伝導帯バンド不連続エネルギーとの和を一定としてベース走行時間のシミュレーションを行った。最もベース走行時間を縮小できるのは傾斜エネルギーが5kTから7kTの時であるが、比較的傾斜が少ない1〜2kTの場合においても確かな走行時間短縮効果が見られ、20nmのベースにおいて2kTの組成傾斜ベースで傾斜無しの時に比べて、40%のベース走行時間短縮効果が得られた。 |
(英) |
Abstract We report a Monte Carlo analysis of base transit time in ultra-thin and heavily-doped InP/InGaAs HBT’s. In ultra-thin base layer less than 20nm, the influence of the plasmon scattering in electron transport is significant. Therefore, it is effective to use graded base in order to sweep out quasi-thermalized electrons. As for graded base, we carried out Monte Carlo Simulation under the condition that the total of graded energy and conduction band discontinuity between base and emitter is constant. Although the best graded energy to minimize base transit time is from 5kT to 7kT, small grading such as 1-2kT is also effective. When 2kT grading is introduced in 20 nm base, 40% reduction of base transit time is calculated. |
キーワード |
(和) |
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / ベース走行時間 / 傾斜ベース / モンテカルロ / 正孔プラズモン散乱 / / / |
(英) |
HeteroJunction Bipolar Transistor(HBT) / Base Transit Time / Graded Base / MonteCarlo / Hole-Plasmon Scattering / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 376, ED2008-212, pp. 83-88, 2009年1月. |
資料番号 |
ED2008-212 |
発行日 |
2009-01-07 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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