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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-01-15 13:50 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮 ○上澤岳史・山田真之・宮本恭幸・古屋一仁（東工大）  ED2008-212 MW2008-177 |
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| 抄録 | （和） | あらまし InP/InGaAs HBTの超薄層高濃度ベース下におけるベース走行時間の解析を行った。20nm以下の様に超薄層化されたベース厚においてもプラズモン散乱がベース内のバリスティック輸送に与える影響は無視できないものであり、組成傾斜ベースを用いる事が重要である。また、組成傾斜ベースに関して、傾斜エネルギーとベースエミッタ間の伝導帯バンド不連続エネルギーとの和を一定としてベース走行時間のシミュレーションを行った。最もベース走行時間を縮小できるのは傾斜エネルギーが5kTから7kTの時であるが、比較的傾斜が少ない1〜2kTの場合においても確かな走行時間短縮効果が見られ、20nmのベースにおいて2kTの組成傾斜ベースで傾斜無しの時に比べて、40％のベース走行時間短縮効果が得られた。 |
| （英） | Abstract We report a Monte Carlo analysis of base transit time in ultra-thin and heavily-doped InP/InGaAs HBT’s. In ultra-thin base layer less than 20nm, the influence of the plasmon scattering in electron transport is significant. Therefore, it is effective to use graded base in order to sweep out quasi-thermalized electrons. As for graded base, we carried out Monte Carlo Simulation under the condition that the total of graded energy and conduction band discontinuity between base and emitter is constant. Although the best graded energy to minimize base transit time is from 5kT to 7kT, small grading such as 1-2kT is also effective. When 2kT grading is introduced in 20 nm base, 40% reduction of base transit time is calculated. | |
| キーワード | （和） | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / ベース走行時間 / 傾斜ベース / モンテカルロ / 正孔プラズモン散乱 / / / |
| （英） | HeteroJunction Bipolar Transistor(HBT) / Base Transit Time / Graded Base / MonteCarlo / Hole-Plasmon Scattering / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 376, ED2008-212, pp. 83-88, 2009年1月. | |
| 資料番号 | ED2008-212 | |
| 発行日 | 2009-01-07 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-212 MW2008-177 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2009-01-14 - 2009-01-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor ICs, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of the Base Transit Time in Ultra-thin Graded-Base InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / HeteroJunction Bipolar Transistor(HBT) |
| キーワード(2)（和/英） | ベース走行時間 / Base Transit Time |
| キーワード(3)（和/英） | 傾斜ベース / Graded Base |
| キーワード(4)（和/英） | モンテカルロ / MonteCarlo |
| キーワード(5)（和/英） | 正孔プラズモン散乱 / Hole-Plasmon Scattering |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上澤 岳史 / Takafumi Uesawa / ウエサワ タカフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 真之 / Masayuki Yamada / ヤマダ マサユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古屋 一仁 / Kazuhito Furuya / フルヤ カズヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-01-15 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-212, MW2008-177 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.376(ED), no.377(MW) |
| ページ範囲 | pp.83-88 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-01-07 (ED, MW) |
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