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講演抄録/キーワード
講演名 2009-01-15 13:50
超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮
上澤岳史山田真之宮本恭幸古屋一仁東工大ED2008-212 MW2008-177 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-212 MW2008-177
抄録 (和) あらまし InP/InGaAs HBTの超薄層高濃度ベース下におけるベース走行時間の解析を行った。20nm以下の様に超薄層化されたベース厚においてもプラズモン散乱がベース内のバリスティック輸送に与える影響は無視できないものであり、組成傾斜ベースを用いる事が重要である。また、組成傾斜ベースに関して、傾斜エネルギーとベースエミッタ間の伝導帯バンド不連続エネルギーとの和を一定としてベース走行時間のシミュレーションを行った。最もベース走行時間を縮小できるのは傾斜エネルギーが5kTから7kTの時であるが、比較的傾斜が少ない1〜2kTの場合においても確かな走行時間短縮効果が見られ、20nmのベースにおいて2kTの組成傾斜ベースで傾斜無しの時に比べて、40%のベース走行時間短縮効果が得られた。 
(英) Abstract We report a Monte Carlo analysis of base transit time in ultra-thin and heavily-doped InP/InGaAs HBT’s. In ultra-thin base layer less than 20nm, the influence of the plasmon scattering in electron transport is significant. Therefore, it is effective to use graded base in order to sweep out quasi-thermalized electrons. As for graded base, we carried out Monte Carlo Simulation under the condition that the total of graded energy and conduction band discontinuity between base and emitter is constant. Although the best graded energy to minimize base transit time is from 5kT to 7kT, small grading such as 1-2kT is also effective. When 2kT grading is introduced in 20 nm base, 40% reduction of base transit time is calculated.
キーワード (和) ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / ベース走行時間 / 傾斜ベース / モンテカルロ / 正孔プラズモン散乱 / / /  
(英) HeteroJunction Bipolar Transistor(HBT) / Base Transit Time / Graded Base / MonteCarlo / Hole-Plasmon Scattering / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 376, ED2008-212, pp. 83-88, 2009年1月.
資料番号 ED2008-212 
発行日 2009-01-07 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-212 MW2008-177 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-212 MW2008-177

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2009-01-14 - 2009-01-16 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/一般 
テーマ(英) Compound Semiconductor ICs, High-speed and high-frequency devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2009-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Reduction of the Base Transit Time in Ultra-thin Graded-Base InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / HeteroJunction Bipolar Transistor(HBT)  
キーワード(2)(和/英) ベース走行時間 / Base Transit Time  
キーワード(3)(和/英) 傾斜ベース / Graded Base  
キーワード(4)(和/英) モンテカルロ / MonteCarlo  
キーワード(5)(和/英) 正孔プラズモン散乱 / Hole-Plasmon Scattering  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 上澤 岳史 / Takafumi Uesawa / ウエサワ タカフミ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 真之 / Masayuki Yamada / ヤマダ マサユキ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 古屋 一仁 / Kazuhito Furuya / フルヤ カズヒト
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-01-15 13:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2008-212, MW2008-177 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.376(ED), no.377(MW) 
ページ範囲 pp.83-88 
ページ数
発行日 2009-01-07 (ED, MW) 


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