講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-01-16 09:55
AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美(NICT)・三村高志(NICT/富士通研)・松井敏明(NICT) ED2008-219 MW2008-184 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-219 MW2008-184 |
抄録 |
(和) |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を有するAlGaN/GaN系MIS-HEMT(metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor)を作製し,そのDC及びRF特性を温度300,220,150,77,16 Kにおいて測定した.ドレイン電流Idsの最大値,最大相互コンダクタンスgm_max,及び遮断周波数fTは,温度の低下につれて増大する.このようなIds,gm_max,fTの増大は比較的高い温度,すなわち温度150~300 Kの範囲で主に起こる.一方,100 K以下においてはIds,gm_max,fTは僅かに増大するだけである.更に,種々の温度,電界において,バルクウルツ鉱型GaN中の電子輸送に関するモンテカルロ計算を行った.定常状態における電子ドリフト速度は,Ids,gm_max,fTと同様の温度依存性を示した. |
(英) |
We fabricated AlGaN/GaN MIS-HEMTs (metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors) with SiN/SiO2/SiN triple-layer insulators and measured their DC and RF characteristics at 300, 220, 150, 77 and 16 K. The values of the maximum drain-source current Ids, the maximum transconductance gm_max and the cutoff frequency fT increased with a decrease in temperature at relatively high temperatures, i.e. between 150 and 300 K. At temperatures below 100 K, the values of Ids, gm_max and fT increased slightly. We also carried out Monte Carlo simulations of electron transport in bulk wurtzite GaN at various temperatures and electric fields. The steady-state drift velocity of electrons showed a trend similar to those of the values of Ids, gm_max and fT. |
キーワード |
(和) |
AlGaN/GaN / MIS / HEMT / 極低温特性 / 最大相互コンダクタンス / 遮断周波数 / モンテカルロ計算 / 電子ドリフト速度 |
(英) |
AlGaN/GaN / MIS / HEMT / Cryogenic characteristics / Maximum transconductance / Cutoff frequency / Monte Carlo simulations / Electron drift velocity |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 376, ED2008-219, pp. 119-123, 2009年1月. |
資料番号 |
ED2008-219 |
発行日 |
2009-01-07 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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