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講演抄録/キーワード
講演名 2009-01-16 09:55
AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
遠藤 聡渡邊一世山下良美NICT)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICTED2008-219 MW2008-184 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-219 MW2008-184
抄録 (和) SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を有するAlGaN/GaN系MIS-HEMT(metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor)を作製し,そのDC及びRF特性を温度300,220,150,77,16 Kにおいて測定した.ドレイン電流Idsの最大値,最大相互コンダクタンスgm_max,及び遮断周波数fTは,温度の低下につれて増大する.このようなIds,gm_max,fTの増大は比較的高い温度,すなわち温度150~300 Kの範囲で主に起こる.一方,100 K以下においてはIds,gm_max,fTは僅かに増大するだけである.更に,種々の温度,電界において,バルクウルツ鉱型GaN中の電子輸送に関するモンテカルロ計算を行った.定常状態における電子ドリフト速度は,Ids,gm_max,fTと同様の温度依存性を示した. 
(英) We fabricated AlGaN/GaN MIS-HEMTs (metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors) with SiN/SiO2/SiN triple-layer insulators and measured their DC and RF characteristics at 300, 220, 150, 77 and 16 K. The values of the maximum drain-source current Ids, the maximum transconductance gm_max and the cutoff frequency fT increased with a decrease in temperature at relatively high temperatures, i.e. between 150 and 300 K. At temperatures below 100 K, the values of Ids, gm_max and fT increased slightly. We also carried out Monte Carlo simulations of electron transport in bulk wurtzite GaN at various temperatures and electric fields. The steady-state drift velocity of electrons showed a trend similar to those of the values of Ids, gm_max and fT.
キーワード (和) AlGaN/GaN / MIS / HEMT / 極低温特性 / 最大相互コンダクタンス / 遮断周波数 / モンテカルロ計算 / 電子ドリフト速度  
(英) AlGaN/GaN / MIS / HEMT / Cryogenic characteristics / Maximum transconductance / Cutoff frequency / Monte Carlo simulations / Electron drift velocity  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 376, ED2008-219, pp. 119-123, 2009年1月.
資料番号 ED2008-219 
発行日 2009-01-07 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-219 MW2008-184 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-219 MW2008-184

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2009-01-14 - 2009-01-16 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/一般 
テーマ(英) Compound Semiconductor ICs, High-speed and high-frequency devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2009-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of Temperature on Cryogenic DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN MIS-HEMTs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) AlGaN/GaN / AlGaN/GaN  
キーワード(2)(和/英) MIS / MIS  
キーワード(3)(和/英) HEMT / HEMT  
キーワード(4)(和/英) 極低温特性 / Cryogenic characteristics  
キーワード(5)(和/英) 最大相互コンダクタンス / Maximum transconductance  
キーワード(6)(和/英) 遮断周波数 / Cutoff frequency  
キーワード(7)(和/英) モンテカルロ計算 / Monte Carlo simulations  
キーワード(8)(和/英) 電子ドリフト速度 / Electron drift velocity  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ
第1著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: National Inst. of Info and Com Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ
第2著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: National Inst. of Info and Com Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 良美 / Yoshimi Yamashita / ヤマシタ ヨシミ
第3著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: National Inst. of Info and Com Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ
第4著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: NICT/富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: National Inst. of Info and Com Tech/Fujitsu Lab Ltd.,)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 松井 敏明 / Toshiaki Matsui / マツイ トシアキ
第5著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: National Inst. of Info and Com Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-01-16 09:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2008-219, MW2008-184 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.376(ED), no.377(MW) 
ページ範囲 pp.119-123 
ページ数
発行日 2009-01-07 (ED, MW) 


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