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| 講演名 | 2009-01-16 10:55 ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT ○牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研）  ED2008-221 MW2008-186 |
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| 抄録 | （和） | ミリ波（W帯）増幅器向けGaN高移動度トランジスタ（GaN-HEMT）の3端子耐圧向上技術について報告する。GaN-HEMTは、ミリ波帯高出力増幅器向けデバイスとして優れたパフォーマンスが期待されている。これまで、高出力ミリ波帯増幅器に関する多くの研究成果が報告されているが、高出力ミリ波増幅器を実現するにはゲート電極長0.1m以下のデバイスにおいても3端子ピンチオフ電流すなわちドレインリーク電流Ioffを10-6A/mm以下に低減する必要がある。本研究では、ドレインリーク電流Ioffを10-6A/mmに低減するために、GaN-HEMTエピ構造の最適化を行った。最適化されたGaN-HEMTエピ構造を用いた0.1mゲートGaN-HEMTでは、200GHzを超える高いfmaxと10-6A/mm(Vds=30V)のIoffを両立することに成功した。これによりデバイスの高電圧動作が可能になり、0.77W/mmの出力特性を実現した。 |
| （英） | We reported on a technology to improve the three-terminal breakdown voltage of a GaN high electron mobility transistor (GaN-HEMT) for a millimeter-wave amplifier. A GaN-HEMT promises excellent performance for high-power millimeter-wave applications. Up till now, a lot of research has been reported on the improvement of high-power millimeter-wave amplifiers. To fabricate such amplifiers, three-terminal pinched-off-current must be decreased to less than 10-6 A/mm when the gate length becomes less than 0.1 m. In this work, the epitaxial structure has been optimized to reduce the pinched-off current. As a result, we demonstrated a high fmax of over 200GHz with pinched-off current of 10-6 A/mm at Vds of 30 V for a device with a gate length of 100 nm. The power characteristics at W-band were also investigated, we demonstrated Pout of 0.77 W/mm. | |
| キーワード | （和） | GaN-HEMT / 増幅器 / ミリ波 / 3端耐圧 / ピンチオフ電流 / ドレインリーク電流 / / |
| （英） | GaN-HEMT / amplifier / millimeter-wave / three-terminal breakdown voltage / pinched-off current / drain leakage current / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 376, ED2008-221, pp. 129-133, 2009年1月. | |
| 資料番号 | ED2008-221 | |
| 発行日 | 2009-01-07 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-221 MW2008-186 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2009-01-14 - 2009-01-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor ICs, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Power GaN-HEMT with High Three-Terminal Breakdown Voltage for W-band Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN-HEMT / GaN-HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 増幅器 / amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / millimeter-wave |
| キーワード(4)（和/英） | 3端耐圧 / three-terminal breakdown voltage |
| キーワード(5)（和/英） | ピンチオフ電流 / pinched-off current |
| キーワード(6)（和/英） | ドレインリーク電流 / drain leakage current |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧山 剛三 / Kozo Makiyama / マキヤマ コウゾウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通/富士通研) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu Ltd/Fujitsu Lab. Ltd.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多木 俊裕 / Toshihiro Ohki / オオキ トシヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通/富士通研) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu Ltd/Fujitsu Lab. Ltd.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金村 雅仁 / Masahito Kanamura / カナムラ マサヒト |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通/富士通研) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu Ltd/Fujitsu Lab. Ltd.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 常信 和清 / Kazukiyo Joshin / ジョウシン カズキヨ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通/富士通研) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu Ltd/Fujitsu Lab. Ltd.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今西 健治 / Kenji Imanishi / イマニシ ケンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通/富士通研) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu Ltd/Fujitsu Lab. Ltd.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Lab. Ltd.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉川 俊英 / Toshihide Kikkawa / キッカワ トシヒデ |
| 第7著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通/富士通研) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu Ltd/Fujitsu Lab. Ltd.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-01-16 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-221, MW2008-186 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.376(ED), no.377(MW) |
| ページ範囲 | pp.129-133 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-01-07 (ED, MW) |
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