| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-01-16 11:45 ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大）  ED2008-223 MW2008-188 |
|
| 抄録 | （和） | ゲート電極直下のみを周期的トレンチ構造とした多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTは，側面ゲートからの電界が2DEGを囲い込むように制御し，チャネル中のポテンシャルを効率よく制御できることが分かった．一般的なプレーナ型HEMTと比較して，浅いしきい値電圧，良好なサブスレッショルド特性，高い電流駆動能力が得られた．また，耐圧向上のためゲート‐ドレイン間距離を長くとったMMC HEMTにおいても，低いknee電圧が得られた．MMC構造では，飽和領域において優れた電流安定性が確認された．プレーナ型およびMMC HEMTのオフ状態におけるドレインリーク電流特性と絶縁破壊特性を評価したところ，ほぼ同等な特性が得られた．このことから，周期的トレンチ構造に起因した絶縁破壊特性の悪化はないと考えられる． |
| （英） | The surrounding field effect was effectively observed in a multi-mesa channel (MMC) using an AlGaN/GaN structure, where a periodic trench structure was fabricated just under a gate electrode. This resulted in the shallower threshold voltage, the lower sub-threshold slope and higher current drivability, as compared to a standard planar-type HEMT. In addition, the MMC HEMT showed a low knee voltage even in a long spacing between the gate and drain electrodes, which is required for the high-blocking voltage operation of power switching transistors. We also observed an excellent current stability in a saturation region in the MMC device, probably due to an effective radiation of heat from both mesa sides of channel. Both planar and MMC devices showed similar drain leakage characteristics and breakdown voltages under off-state operation, indicating no significant degradation on the break down characteristics in AlGaN/GaN HEMTs even when a periodic trench structure is applied to a gate region. | |
| キーワード | （和） | GaN / AlGaN / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / 多重台形型チャネル(MMC)構造 / / / / |
| （英） | GaN / AlGaN / High Electron Mobility Transistor(HEMT) / Multi-Mesa-Channel(MMC) structure / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 376, ED2008-223, pp. 141-144, 2009年1月. | |
| 資料番号 | ED2008-223 | |
| 発行日 | 2009-01-07 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-223 MW2008-188 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2009-01-14 - 2009-01-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor ICs, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mesa-gate AlGaN/GaN HEMT having nano-width channels |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / High Electron Mobility Transistor(HEMT) |
| キーワード(4)（和/英） | 多重台形型チャネル(MMC)構造 / Multi-Mesa-Channel(MMC) structure |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大井 幸多 / Kota Ohi / オオイ コウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-01-16 11:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-223, MW2008-188 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.376(ED), no.377(MW) |
| ページ範囲 | pp.141-144 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-01-07 (ED, MW) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]