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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-02-27 10:15 GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析 ○中田大輔・アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ・白鳥悠太（北大）・葛西誠也（北大/JST）  ED2008-235 SDM2008-227 |
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| 抄録 | （和） | ナノワイヤ３分岐接合デバイスは，低温から室温までの広い温度領域において特異な非線形特性を示し，論理回路や高周波回路への応用が期待されている．回路応用においては，メカニズムの理解と目的に応じた特性制御が必要である．本稿ではショットキーラップゲートを備えたGaAsナノワイヤ３分岐接合のデバイスの試作とその詳細評価を行い，ショットキーラップゲートやナノワイヤ長が非線形特性および動作速度に与える効果を調べ，非線形特性メカニズムや特性制御について検討を行った． |
| （英） | Three-branch nanowire junction devices show nonlinear electrical characteristics from the low temperature to the room temperature, and they are expected to be applied to logic and high frequency circuits. In such application, understanding the mechanism and control of characteristic are necessary. In this study GaAs-based three-branch nanowire junction devises having Schottky wrap gates are fabricated and characterized in detail, including the effect of Schottky wrap gate and nanowire length on nonlinear characteristics and operation speed. | |
| キーワード | （和） | ナノワイヤ３分岐接合 / 非線形特性 / 動作速度 / GaAs / Wrap Gate (WPG) / / / |
| （英） | Three-Branch Nanowire Junction Device / Nonlinear Characteristic / Operation Speed / GaAs / Wrap Gate (WPG) / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 437, ED2008-235, pp. 63-68, 2009年2月. | |
| 資料番号 | ED2008-235 | |
| 発行日 | 2009-02-19 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-235 SDM2008-227 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-02-26 - 2009-02-27 |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-02-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization and Analysis on Operation of GaAs Three-Branch Nanowire Junction Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤ３分岐接合 / Three-Branch Nanowire Junction Device |
| キーワード(2)（和/英） | 非線形特性 / Nonlinear Characteristic |
| キーワード(3)（和/英） | 動作速度 / Operation Speed |
| キーワード(4)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(5)（和/英） | Wrap Gate (WPG) / Wrap Gate (WPG) |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 大輔 / Daisuke Nakata / ナカタ ダイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ / Shaharin Fadzli Abd Rahman / アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白鳥 悠太 / Yuta Shiratori / シラトリ ユウタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛西 誠也 / Seiya Kasai / カサイ セイヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大/JST) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ/PRESTO,JST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-02-27 10:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-235, SDM2008-227 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.437(ED), no.438(SDM) |
| ページ範囲 | pp.63-68 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-02-19 (ED, SDM) |
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