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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-03-06 16:35 錫(Sn)めっき接触面での酸化皮膜の成長と接触抵抗特性 ～ エリプソメトリによる研究 ～ ○鍋田佑也・玉井輝雄・斉藤 寧・澤田 滋・飯田和生（三重大）・服部康博（オートネットワーク技研）  EMD2008-146 |
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| 抄録 | （和） | 錫（Sn)めっきはコネクタ等の接触部に広く用いられ、金（Au)めっきと共に有効利用されている。しかし、Auめっきとは本質的に異なりその表面は酸化皮膜で覆われ、その結果、その表面は腐食から保護される。この皮膜が接触部に介在すると接触抵抗を増大させるので、接触時に機械的に破壊して低接触抵抗を得ることが行われる。しかし、この酸化皮膜の成長に関しては詳細な研究はない。そこで、この研究ではエリプソメトリによって大気中（25℃、30%RH)に放置したSnめっき表面の酸化皮膜の成長と50℃に保持した場合の皮膜の成長をその膜厚の測定から調べ、酸化皮膜の成長則を明らかにした。皮膜の厚さは表面近傍のTEMの高倍率像から同定した、エリプソメトリによる値と良い一致を見た。酸化皮膜の成長は大気放置の初期段階で5nmの厚さまで直線則で成長し、その後は1/4乗則で15nm程度に飽和することが明らかとなった。しかし、50℃に温度が上がると初期段階の皮膜の成長はより速くなるが、飽和する膜厚は25℃と同等であった。さらに、接触抵抗の測定では、10nm程度までは低抵抗を示し、薄膜の導電機構の存在を裏付け、その後は５Ω程度の一定値を示した。 |
| （英） | Tin plated contacts has been applied widely to electrical contacts of electromechanical devices as well as gold plated contacts. However, the tin plated surfsce covered with oxide film which is fundamentally different from gold plated surfaces. The oxide film prevents the surface from corrosion. When the film is interposed between contact interface, contact resistance increases. It is necessary to break down mechanically to obtain low contact resistance. However, detail study on the oxide film on the tin plated surface was not found in iteratures. Therefore, in the present study, for both 25℃ and 50℃ each other, growth law of the oxide film on the tin plated surface was found by measurement using ellipsometry for exposure to the atmoshere. Morover, the film thickness was identified by TEM. The results well sgreed with results obtained by the ellipsometry. As results, at 25℃, growth of the oxide film showed kinear law until 5nm in the initial stage of the exposure. In the second stage, oxide film indicated 1/4 law unitil 15nm. After this stage, the thickness growth saturated. For 50℃, growth law become increasesd in the initial stage, after this growth law showed same tendency at 25℃. The contact resistance indicated low constant value to 10nm in thickness. This low value is due to conduction mechanisms of thin film. Afer the thickness contact resistance increases to 5Ω. | |
| キーワード | （和） | 錫めっき / 酸化皮膜 / 接触機構デバイス / 接触抵抗 / エリプソメトリ / SnO / / |
| （英） | tin plating / oxide film / contact electromechanical devices / contact resistance / ellipsometry / SnO / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 466, EMD2008-146, pp. 49-52, 2009年3月. | |
| 資料番号 | EMD2008-146 | |
| 発行日 | 2009-02-27 (EMD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2008-146 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
| 開催期間 | 2009-03-06 - 2009-03-06 |
| 開催地（和） | 工学院大学 |
| 開催地（英） | Kougakuin Univ. |
| テーマ（和） | ショートノート（卒論・修論特集） |
| テーマ（英） | Short note (Graduation thesis and master's thesis) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EMD |
| 会議コード | 2009-03-EMD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 錫(Sn)めっき接触面での酸化皮膜の成長と接触抵抗特性 |
| サブタイトル（和） | エリプソメトリによる研究 |
| タイトル（英） | Growth Law of the Oxide Film Formed on the Tin Plated Contact Surface and Its Contact Resistance Characteristic |
| サブタイトル（英） | Ellipsometric Study |
| キーワード(1)（和/英） | 錫めっき / tin plating |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化皮膜 / oxide film |
| キーワード(3)（和/英） | 接触機構デバイス / contact electromechanical devices |
| キーワード(4)（和/英） | 接触抵抗 / contact resistance |
| キーワード(5)（和/英） | エリプソメトリ / ellipsometry |
| キーワード(6)（和/英） | SnO / SnO |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鍋田 佑也 / Yuya Nabeta / ナベタ ユウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 玉井 輝雄 / Terutaka Tamai / タマイ テルタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斉藤 寧 / Yasushi Saitoh / サイトウ ヤスシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤田 滋 / Shigeru Sawada / サワダ シゲル |
| 第4著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯田 和生 / Kazuo Iida / イイダ カズオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 康博 / Yasuhiro Hattori / ハットリ ヤスヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | オートネットワーク技術研究所 (略称： オートネットワーク技研) AutoNetworks Tchnologise, Ltd. (略称： AN Technorogies) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-03-06 16:35:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | EMD |
| 資料番号 | EMD2008-146 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.466 |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-02-27 (EMD) |
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