| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2009-04-13 12:40
[招待講演]FeRAMの概要と1.6GB/s DDR2 128Mb Chain FeRAM ○滋賀秀裕・高島大三郎・白武慎一郎・穂谷克彦・宮川 正・荻原 隆・福田 良・滝澤亮介・初田幸輔・松岡史宜・長冨 靖・橋本大輔・西村久明・日岡 健・堂前須弥子(東芝) ICD2009-1 |
| 抄録 |
(和) |
強誘電体メモリ(FeRAM)はDRAM並みの高速アクセスとフラッシュメモリ等の有する不揮発性とを兼ね備えており、次世代の半導体メモリとして期待されている。今回開発したFeRAMチップはDRAMの代替を視野に入れており、Chain FeRAM(R)アーキテクチャを採用して128Mbの大容量化に成功したほか、高速DRAMの規格であるDDR2インターフェイスを搭載して1.6GB/sの高バンド幅を実現している。 |
| (英) |
Ferroelectric RAMs (FeRAMs) are expected to be the next generation semiconductor memory for their fast access speed (comparable to DRAMs) and the nonvolatility (like flash memories etc.). Our newly developed FeRAM chip is aimed at replacing DRAM. For that purpose, large capacity of 128Mb and high read/write bandwidth of 1.6GB/s are realized by introducing chain FeRAM(R) architecture and adopting DDR2 interface. |
| キーワード |
(和) |
強誘電体メモリ / FeRAM / / / / / / |
| (英) |
ferroelectric memory / FeRAM / / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 2, ICD2009-1, pp. 1-6, 2009年4月. |
| 資料番号 |
ICD2009-1 |
| 発行日 |
2009-04-06 (ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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