講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-04-14 10:40
カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM ○吉本秀輔・井口友輔・奥村俊介・藤原英弘・野口紘希(神戸大)・新居浩二(ルネサステクノロジ)・川口 博・吉本雅彦(神戸大) ICD2009-6 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-6 |
抄録 |
(和) |
本論文では,低電圧動作,小面積10T SRAMセルを提案する.提案10Tセルは,従来10Tセルと比較して回路構成を単純化でき,セル面積を25%低減させることができる.また,放電パスを追加したことによりセル電流が21%増大し,ビット線遅延を34%短縮させることが可能となる.トランジスタを追加した事による書込みマージンの悪化を改善するためにカラム線制御回路を追加し,書込みを補助している.45nmプロセスを用いて試作,実測した結果,提案SRAMが0.56Vで動作可能であることを確認した. |
(英) |
We present a small-area 10T SRAM cell without half selection problem. As well, the proposed 10T cell achieves a faster access time and low voltage operation. The cell area is reduced by 25%, and the cell current is increased by 21%, compared with the prior 10T cell. The minimum operating voltage is lowered by the column line assist (CLA) scheme that suppresses write margin degradation. By measurement, we confirmed that the proposed 128-kb SRAM works at 0.56 V. |
キーワード |
(和) |
SRAM / 低電圧 / 小面積 / 10トランジスタ / 10T / カラム線制御 / / |
(英) |
SRAM / low voltage operation / small area / 10 transistor / 10T / Column line assist / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 2, ICD2009-6, pp. 27-32, 2009年4月. |
資料番号 |
ICD2009-6 |
発行日 |
2009-04-06 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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