| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2009-04-23 15:30
酸化物エピタキシャル技術を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタメモリ
○金子幸広・田中浩之・加藤剛久・嶋田恭博（パナソニック）  ED2009-5 |
| 抄録 |
（和） |
微細化可能な新規不揮発性メモリとして，酸化物材料の積層構造を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタを開発した．SrTiO3基板上にゲート電極SrRuO3，強誘電体Pb(Zr,Ti)O3，酸化物半導体ZnOを順にエピタキシャル成長させることで，結晶性が良く，界面反応層がないヘテロ構造を得ることができた．この積層構造のゲート電極に電圧を印加したところ分極の向きに伴い電子の蓄積/空乏が起こった．この積層構造を用いてトランジスタを試作し，ゲート電圧を±10 Vで挿引したところ，分極の変化に伴って電子の蓄積/空乏化が起こり，5桁以上のドレイン電流の変調が見られた．データ保持特性にも優れ，10^5 秒後も5桁以上のIon/Ioff比を保つことを確認した．加えて多値データの記憶にも適し，安定した保持特性を確認した． |
| （英） |
We have developed a ferroelectric-gate thin-film transistor (FeTFT) composed of heteroepitaxially stacked oxide materials. A bottom gate electrode of SrRuO3 (SRO), a ferroelectric film of Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) and a semiconductor film of ZnO are grown on a SrTiO3 (STO) substrate. Structural characterization shows a heteroepitaxy of the fabricated ZnO/PZT/SRO/STO structure with good crystalline quality and the absence of an interface reaction layer. When the polarization direction of the PZT film is downward, all the electrons across the ZnO film are depleted. When the polarization direction is upward, on the other hand, quasi-two-dimensional electron gas is accumulated at the ZnO/PZT interface. Drain and source electrodes of Pt/Ti are formed on the ZnO film and in-plane conduction at the ZnO/PZT interface is probed. When gate voltages applied to the bottom electrode are swept between -10 and 10 V, the on/off ratio of drain currents is higher than 10^5. Such a high on/off ratio is preserved even after 10^5 s. In addition, the FeTFT can write and read multi level datum. |
| キーワード |
（和） |
強誘電体 / 強誘電体ゲートトランジスタ / 強誘電体メモリ / ZnO / SrTiO3 / SrRuO3 / Pb(Zr,Ti)O3 / 酸化物半導体 |
| （英） |
ferroelectric / ferroelectric-gate field-effect-transistor / ferroelectric memory / ZnO / SrTiO3 / SrRuO3 / Pb(Zr,Ti)O3 / oxide semiconductor |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 16, ED2009-5, pp. 17-22, 2009年4月. |
| 資料番号 |
ED2009-5 |
| 発行日 |
2009-04-16 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ED2009-5 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ED |
| 開催期間 |
2009-04-23 - 2009-04-24 |
| 開催地（和） |
東北大学電気通信研究所 |
| 開催地（英） |
Tohoku Univ. |
| テーマ（和） |
TFT（有機、酸化物）、一般 |
| テーマ（英） |
TFT, etc |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2009-04-ED |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
酸化物エピタキシャル技術を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタメモリ |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Ferroelectric-Gate Thin-Film-Transistor Memory Using Epitaxially Grown Composite-Oxide-Film |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
強誘電体 / ferroelectric |
| キーワード(2)（和/英） |
強誘電体ゲートトランジスタ / ferroelectric-gate field-effect-transistor |
| キーワード(3)（和/英） |
強誘電体メモリ / ferroelectric memory |
| キーワード(4)（和/英） |
ZnO / ZnO |
| キーワード(5)（和/英） |
SrTiO3 / SrTiO3 |
| キーワード(6)（和/英） |
SrRuO3 / SrRuO3 |
| キーワード(7)（和/英） |
Pb(Zr,Ti)O3 / Pb(Zr,Ti)O3 |
| キーワード(8)（和/英） |
酸化物半導体 / oxide semiconductor |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
金子 幸広 / Yukihiro Kaneko / カネコ ユキヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） |
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター (略称： パナソニック)
Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Panasonic Corporation (略称： Panasonic Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
田中 浩之 / Hiroyuki Tanaka / タナカ ヒロユキ |
| 第2著者 所属（和/英） |
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター (略称： パナソニック)
Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Panasonic Corporation (略称： Panasonic Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
加藤 剛久 / Yoshihisa Kato / カトウ ヨシヒサ |
| 第3著者 所属（和/英） |
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター (略称： パナソニック)
Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Panasonic Corporation (略称： Panasonic Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
嶋田 恭博 / Yasuhiro Shimada / シマダ ヤスヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） |
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター (略称： パナソニック)
Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Panasonic Corporation (略称： Panasonic Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2009-04-23 15:30:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2009-5 |
| 巻番号（vol） |
vol.109 |
| 号番号（no） |
no.16 |
| ページ範囲 |
pp.17-22 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2009-04-16 (ED) |
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