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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-04-24 09:25 陽極酸化過程を用いた室温動作単電子トランジスタの作製 ○木村康男・武藤高見・庭野道夫（東北大）  ED2009-9 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-9 |
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| 抄録 | （和） | 室温動作可能な単電子トランジスタを作製するためには、数nmのナノドットをソース・ドレイン電極間に配置しなければならない。そのためには、トップダウンプロセスとボトムアッププロセスとを組み合わせた新しいプロセスを確立しなければならない。本研究は、フォトリソグラフィ技術とアルミニウムの陽極酸化過程を用いてナノドットの形成とソース・ドレイン電極との形成を同時に行うことにより、室温動作可能な単電子トランジスタを作製した。 |
| （英） | In order to fabricate single-electron transistors which can operate at room temperature, it is necessary to arrange a several nanometer nanodot between source and drain electrodes. Therefore, it is important to develop new hybrid processes between top-down and bottom-up processes. In this study, we fabricated single-electron transistors through both anodization process of aluminum and the photolithography technique and demonstrated that it could be operate at room temperature. | |
| キーワード | （和） | 単電子トランジスタ / 室温動作 / 陽極酸化 / ポーラスアルミナ / セルフアライメント / / / |
| （英） | single electron transistor / room-temperature operation / anodization / porous alumina / selfalignment / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 16, ED2009-9, pp. 35-38, 2009年4月. | |
| 資料番号 | ED2009-9 | |
| 発行日 | 2009-04-16 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-9 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-9 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2009-04-23 - 2009-04-24 |
| 開催地（和） | 東北大学電気通信研究所 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | TFT（有機、酸化物）、一般 |
| テーマ（英） | TFT, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-04-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 陽極酸化過程を用いた室温動作単電子トランジスタの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of a Room-temperature Operation Single Electron Transistor through Anodization Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子トランジスタ / single electron transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 室温動作 / room-temperature operation |
| キーワード(3)（和/英） | 陽極酸化 / anodization |
| キーワード(4)（和/英） | ポーラスアルミナ / porous alumina |
| キーワード(5)（和/英） | セルフアライメント / selfalignment |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 康男 / Yasuo Kimura / キムラ ヤスオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設 (略称： 東北大) Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武藤 高見 / Takami Muto / ムトウ タカミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設 (略称： 東北大) Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 庭野 道夫 / Michio Niwano / ニワノ ミチオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設 (略称： 東北大) Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-04-24 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-9 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.16 |
| ページ範囲 | pp.35-38 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-04-16 (ED) |
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