講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-04-24 09:50
Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術 ○半田浩之・宮本 優・齋藤英司・吹留博一・伊藤 隆(東北大)・末光眞希(東北大/JST) ED2009-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-10 |
抄録 |
(和) |
近年,産業への適応性から,SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている.しかしポストCMOS材料としての適用を考慮すると,Si基板の導入と量産性に優れた成長技術が不可欠である.その要求に応えるため,我々は有機シランガスソースMBEによるSi基板上への3C-SiCエピ成長とその表面改質によるグラフェン形成,いわゆるグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術を開発した. |
(英) |
With its industrial adaptability, epitaxial graphene, a graphene film formed by UHV annealing of SiC bulk substrates, is attracting recent attention. Still, a growth technique that allows formation of graphene films on Si substrates is strongly demanded when we want to utilize graphene as a post-CMOS material. To this goal, we have developed a growth technique of graphene on Si substrates by using an epitaxial film of 3C-SiC formed by organosilane gas-source MBE and its subsequent surface modification. |
キーワード |
(和) |
グラフェン / Si / 3C-SiC / 有機シラン / ガスソースMBE / / / |
(英) |
Graphene / Si / 3C-SiC / Organosilane / Gas-source MBE / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 16, ED2009-10, pp. 39-43, 2009年4月. |
資料番号 |
ED2009-10 |
発行日 |
2009-04-16 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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