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| 講演名 | 2009-04-24 09:50 Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン（GOS）技術 ○半田浩之・宮本 優・齋藤英司・吹留博一・伊藤 隆（東北大）・末光眞希（東北大/JST）  ED2009-10 |
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| 抄録 | （和） | 近年，産業への適応性から，SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている．しかしポストCMOS材料としての適用を考慮すると，Si基板の導入と量産性に優れた成長技術が不可欠である．その要求に応えるため，我々は有機シランガスソースMBEによるSi基板上への3C-SiCエピ成長とその表面改質によるグラフェン形成，いわゆるグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術を開発した． |
| （英） | With its industrial adaptability, epitaxial graphene, a graphene film formed by UHV annealing of SiC bulk substrates, is attracting recent attention. Still, a growth technique that allows formation of graphene films on Si substrates is strongly demanded when we want to utilize graphene as a post-CMOS material. To this goal, we have developed a growth technique of graphene on Si substrates by using an epitaxial film of 3C-SiC formed by organosilane gas-source MBE and its subsequent surface modification. | |
| キーワード | （和） | グラフェン / Si / 3C-SiC / 有機シラン / ガスソースMBE / / / |
| （英） | Graphene / Si / 3C-SiC / Organosilane / Gas-source MBE / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 16, ED2009-10, pp. 39-43, 2009年4月. | |
| 資料番号 | ED2009-10 | |
| 発行日 | 2009-04-16 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-10 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2009-04-23 - 2009-04-24 |
| 開催地（和） | 東北大学電気通信研究所 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | TFT（有機、酸化物）、一般 |
| テーマ（英） | TFT, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-04-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン（GOS）技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Graphene-on-silicon (GOS) technology for formation of high-mobility ultrathin channel layer on Si substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(3)（和/英） | 3C-SiC / 3C-SiC |
| キーワード(4)（和/英） | 有機シラン / Organosilane |
| キーワード(5)（和/英） | ガスソースMBE / Gas-source MBE |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 半田 浩之 / Hiroyuki Handa / ハンダ ヒロユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 優 / Yu Miyamoto / ミヤモト ユウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 英司 / Eiji Saito / サイトウ エイジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吹留 博一 / Hirokazu Fukidome / フキドメ ヒロカズ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 隆 / Takashi Ito / イトウ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 末光 眞希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学/戦略的創造研究推進事業 (略称： 東北大/JST) Tohoku University/JST (略称： Tohoku Univ./JST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-04-24 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-10 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.16 |
| ページ範囲 | pp.39-43 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-04-16 (ED) |
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