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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-04-24 17:05 プラズマCVD-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性 ○過能慎太郎・永田 翔・中川 豪・浅野種正（九大）  SDM2009-7 OME2009-7 |
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| 抄録 | （和） | プラズマCVD法で堆積した非晶質Siを固相結晶化した場合、超高真空法で蒸着した非晶質Si膜の場合に比べ、結晶核の形成とその成長にいたる過程が明確に観察されにくい。また、結晶化した多結晶Si膜にTFTを作製してもキャリヤ移動度が小さな特性となってしまう。本論文では、プラズマCVD膜に金属誘起横方向結晶化(Metal Induced Lataral Crystallization: MILC)を適用すると、超高真空蒸着膜の場合に近い成長特性を示すとともに、キャリヤ移動度も向上することを示す。また、非晶質Si膜を予めパターニングしてMILCを適用しグレインフィルタリングを試みた結果についても述べる。 |
| （英） | In the case of solid phase crystallization of amorphous Si (a-Si) deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), it is difficult to clearly observe the spontaneous nucleation and growth in contrast to the case of a-Si films deposited by evaporation in ultra-high vacuum. The polycrystalline films thus crystallized from PECVD deposited a-Si films show small carrier mobility when they are applied to TFTs. In this paper, metal induced lateral crystallization (MILC) has been applied to a-Si films prepared by PECVD. It has better carrier mobility and a similar growth characteristic to the film crystallized from a-Si deposited in ultra-high vacuum. Results of an attempt of grain filtering carried out by patterning a-Si films prior to MILC are also described. | |
| キーワード | （和） | 多結晶シリコン / 薄膜トランジスタ / プラズマCVD / 金属誘起横方向結晶化 / MILC / / / |
| （英） | polycrystalline silicon / thin film transistor / plasma-enhanced chemical vapor deposition / metal induced lateral crystallization / MILC / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 19, SDM2009-7, pp. 29-34, 2009年4月. | |
| 資料番号 | SDM2009-7 | |
| 発行日 | 2009-04-17 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-7 OME2009-7 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME SDM |
| 開催期間 | 2009-04-24 - 2009-04-24 |
| 開催地（和） | 産総研九州センター大会議室 |
| 開催地（英） | AIST Kyushu-center |
| テーマ（和） | 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | TFT Materials, Devices, Applications, Analysis and Others related to SDM and OME activity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-04-OME-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | プラズマCVD-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Metal Induced Lateral Crystallization of PECVD a-Si and Its Impact on TFT Performance |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン / polycrystalline silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマCVD / plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| キーワード(4)（和/英） | 金属誘起横方向結晶化 / metal induced lateral crystallization |
| キーワード(5)（和/英） | MILC / MILC |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 過能 慎太郎 / Shintaro Kanoh / カノウ シンタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永田 翔 / Sho Nagata / ナガタ ショウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 豪 / Gou Nakagawa / ナカガワ ゴウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅野 種正 / Tanemasa Asano / アサノ タネマサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-04-24 17:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-7, OME2009-7 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.19(SDM), no.20(OME) |
| ページ範囲 | pp.29-34 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-04-17 (SDM, OME) |
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