| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2009-04-24 13:00
赤外干渉法によるSi基板上3C-SiC薄膜形成のリアルタイムモニタリング ○齋藤英司・末光眞希(東北大) ED2009-14 |
| 抄録 |
(和) |
モノメチルシランを用いたSi基板上3C-SiC成長中に単色温度計の温度表示が振動する“温度振動”を観測した.この振動は薄膜表面と薄膜/基板界面での赤外干渉によって生じ,振動の一周期分の成長膜厚は/2nに一致する.ここで,は単色温度計で検出される赤外光の波長,nは成長膜の屈折率である.また,振動の減衰は成長膜の表面粗さ発展によって生じる.この赤外干渉法はSi基板上3C-SiC成長のリアルタイムモニタリング法として大変有効である. |
| (英) |
“Temperature oscillation” is observed during growth of 3C-SiC on Si substrate using monomethyl-silane when the temperature is monitored with a monochromatic pyrometer. The oscillation is caused by the infrared light interference between the surface and the film/substrate interface. The period of the oscillation corresponds to /2n, with the  and n being the wavelength used in the monochromatic optical pyrometer and the refractive index of the grown film, respectively. The decay of the oscillation is caused by roughening of the surface. Pyrometric interferometry provides a feasible tool for real-time monitoring of the growth of 3C-SiC film on Si substrates. |
| キーワード |
(和) |
3C-SiC / Si / モノメチルシラン / 赤外干渉法 / / / / |
| (英) |
3C-SiC / Si / monomethyl-silane / pyrometric interferometry / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 16, ED2009-14, pp. 59-61, 2009年4月. |
| 資料番号 |
ED2009-14 |
| 発行日 |
2009-04-16 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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ED2009-14 |