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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-04-24 13:25 パルス電界常圧プラズマCVD法を用いたプラスチック基板上Si成長 ○村重正悟・松本光正・稲吉陽平・末光眞希（東北大）・中嶋節男・上原 剛（積水化学）・豊島安健（産総研）  ED2009-15 |
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| 抄録 | （和） | パルス電界常圧プラズマCVD法を用いてPET基板上に多結晶Si(Poly-Si)成長を行い，Raman散乱分光法および透過電子顕微鏡(TEM)観察によりSi薄膜の結晶構造評価を行った．Poly-Si膜の結晶化率は80%以上の高い値を示した．また成長速度は40nm/minと高速であり，インキュベーション層を介さずに基板直上からSi成長していることが確認された． |
| （英） | Polycrystalline Si films have been deposited on polyethylene terephthalate(PET) substrates using pulsed-plasma CVD under normal pressures. Crystalline structure of the Si films was evaluated by Raman scattering spectroscopy and transmission electron microscopy (TEM). The poly-Si film shows a high crystallinity of 80% or more. A growth rate as high as 40nm/min is obtained and direct growth of the Si polycrystallites on the PET substrate without incubation layers was confirmed. | |
| キーワード | （和） | 多結晶Si / プラズマCVD / ポリエチレンテレフタレート / パルス / 大気圧 / / / |
| （英） | Polycrystalline silicon / PECVD / Polyethylene terephthalate / Pulsed / Atmospheric pressure / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 16, ED2009-15, pp. 63-67, 2009年4月. | |
| 資料番号 | ED2009-15 | |
| 発行日 | 2009-04-16 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2009-04-23 - 2009-04-24 |
| 開催地（和） | 東北大学電気通信研究所 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | TFT（有機、酸化物）、一般 |
| テーマ（英） | TFT, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-04-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | パルス電界常圧プラズマCVD法を用いたプラスチック基板上Si成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of polycrystalline Si on plastic substrate using pulsed-plasma CVD under near atmospheric Pressure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶Si / Polycrystalline silicon |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマCVD / PECVD |
| キーワード(3)（和/英） | ポリエチレンテレフタレート / Polyethylene terephthalate |
| キーワード(4)（和/英） | パルス / Pulsed |
| キーワード(5)（和/英） | 大気圧 / Atmospheric pressure |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村重 正悟 / Shogo Murashige / ムラシゲ ショウゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 光正 / Mitsutaka Matsumoto / マツモト ミツタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 稲吉 陽平 / Yohei Inayoshi / イナヨシ ヨウヘイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 末光 眞希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中嶋 節男 / Setsuo Nakajima / ナカジマ セツオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 積水化学工業株式会社 (略称： 積水化学) Sekisui Chemicals Co. Ltd (略称： Sekisui Chemicals Co. Ltd) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上原 剛 / Tsuyoshi Uehara / ウエハラ ツヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 積水化学工業株式会社 (略称： 積水化学) Sekisui Chemicals Co. Ltd (略称： Sekisui Chemicals Co. Ltd) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 豊島 安健 / Yasutake Toyoshima / |
| 第7著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST-ETRI (略称： AIST-ETRI) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-04-24 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-15 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.16 |
| ページ範囲 | pp.63-67 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-04-16 (ED) |
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