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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-05-14 16:15 第一原理計算によるCu2ZnSnS4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析 ○中島佑基・市村正也（名工大）  ED2009-24 CPM2009-14 SDM2009-14 |
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| 抄録 | （和） | Cu2ZnSnS4(CZTS)はヘテロ接合型太陽電池の光吸収層材料の新材料として期待されている物質である。本研究では、第一原理計算によってこの物質の結晶構造と電子構造を解析した。一般的にはCZTSはスタナイト構造またはケステライト構造をとるとされているが、「S原子がCu原子2個、Zn原子1個、Sn原子1個と結合」という条件を満たす単位格子は計５通りある。その５通りの結晶構造について、エネルギーを最小化する格子定数と原子位置を求め、全エネルギーと電子状態密度を計算した。得られた各構造の全エネルギーに大きな違いはなく、原子一個あたりに換算したエネルギー差は室温の熱エネルギーよりも小さかった。よってCZTSは５通りの原子配列の構造が混ざった結晶になると考えられる。状態密度に関しても構造間に顕著な差は見られなかった。 |
| （英） | Cu2ZnSnS4 (CZTS) is a promising material for an absorber layer in the thin film solar cell. Atomic and electronic structures of CZTS are discussed on the basis of the first principle pseudopotential method. The generalized-gradient approximation is adopted to describe electron-electron interactions within framework of the density functional theory. CZTS is usually assumed to have the stannite or kesterite structures, but one can consider three other structures under the condition that a S atom is bonded to 2 Cu, 1 Zn, and 1 Sn atoms. For each of five structures, the lattice constants and atom positions are optimized, and the total energy and density of states are calculated. The energy difference per atom between the structures is smaller than the thermal energy at room temperature, and therefore, CZTS is expected to be composed of five phases with different crystal structures. There is no significant difference in the density of states spectrum between the structures. | |
| キーワード | （和） | Cu2ZnSnS4 / 第一原理計算 / 結晶構造 / 状態密度 / / / / |
| （英） | Cu2ZnSnS4 / first principle calculation / crystal structure / density of states / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 24, CPM2009-14, pp. 31-35, 2009年5月. | |
| 資料番号 | CPM2009-14 | |
| 発行日 | 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-24 CPM2009-14 SDM2009-14 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM SDM |
| 開催期間 | 2009-05-14 - 2009-05-15 |
| 開催地（和） | 豊橋技科大サテライトオフィス |
| 開催地（英） | Satellite Office, Toyohashi Univ. of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2009-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 第一原理計算によるCu2ZnSnS4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Atomic and Electronic Structures of Cu2ZnSnS4 Based on the First-Principle Calculation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu2ZnSnS4 / Cu2ZnSnS4 |
| キーワード(2)（和/英） | 第一原理計算 / first principle calculation |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶構造 / crystal structure |
| キーワード(4)（和/英） | 状態密度 / density of states |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 佑基 / Yuki Nakashima / ナカシマ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-05-14 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2009-24, CPM2009-14, SDM2009-14 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.23(ED), no.24(CPM), no.25(SDM) |
| ページ範囲 | pp.31-35 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) |
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