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講演抄録/キーワード
講演名 2009-05-14 16:40
マグネトロンスパッタによるSiO2基板上への微結晶SiGeの堆積
廣江昭彦後藤哲也寺本章伸大見忠弘東北大ED2009-25 CPM2009-15 SDM2009-15 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-25 CPM2009-15 SDM2009-15
抄録 (和) マグネトロンスパッタを用いて、微結晶Si1-xGex (x~0.8)をSiO2基板上に堆積することに成功した。デポ条件を検討した結果、基板温度がSi1-xGexの融点の約半分の温度である300℃で結晶化が始まる事を見出した。これは、スパッタ時に原子の表面マイグレーションが起こる温度と対応している。基板バイアスの効果に関して検討を行ったところ、基板温度350℃では基板バイアスにより結晶性の低下が観測されたが、300℃では結晶性を改善出来る事が確認された。 
(英) Microcrystalline Si1-xGex (x~0.8) has been successfully deposited over SiO2 substrates by magnetron sputtering. Detailed investigation about the deposition condition revealed that crystalline phase begins to form at about 300°C, which roughly correspond to half the melting temperature of the material where surface migration of deposited atom starts to take place. Substrate bias effect was also investigated, which showed the degradation of crystallinity for the substrate temperature of 350°C while improvement of crystallinity was found for 300°C samples.
キーワード (和) マグネトロンスパッタ / 微結晶SiGe / 薄膜トランジスタ / / / / /  
(英) magnetron sputter / microcrystalline SiGe / thin film transistor / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 25, SDM2009-15, pp. 37-42, 2009年5月.
資料番号 SDM2009-15 
発行日 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2009-25 CPM2009-15 SDM2009-15 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-25 CPM2009-15 SDM2009-15

研究会情報
研究会 ED CPM SDM  
開催期間 2009-05-14 - 2009-05-15 
開催地(和) 豊橋技科大サテライトオフィス 
開催地(英) Satellite Office, Toyohashi Univ. of Technology 
テーマ(和) 結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料) 
テーマ(英) Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-05-ED-CPM-SDM 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) マグネトロンスパッタによるSiO2基板上への微結晶SiGeの堆積 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Deposition of Microcrystalline SiGe by Magnetron Sputtering on SiO2 Substrates 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) マグネトロンスパッタ / magnetron sputter  
キーワード(2)(和/英) 微結晶SiGe / microcrystalline SiGe  
キーワード(3)(和/英) 薄膜トランジスタ / thin film transistor  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣江 昭彦 / Akihiko Hiroe / ヒロエ アキヒコ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 哲也 / Tetsuya Goto / ゴトウ テツヤ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-05-14 16:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 ED2009-25, CPM2009-15, SDM2009-15 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.23(ED), no.24(CPM), no.25(SDM) 
ページ範囲 pp.37-42 
ページ数
発行日 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) 


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