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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-05-15 13:00 AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光 ○武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス）  ED2009-32 CPM2009-22 SDM2009-22 |
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| 抄録 | （和） | 発光素子，受光素子などの短波長化にともない高Alモル分率AlGaNの高品質化，発光効率の向上が求められている．本研究では,反射光を用いたその場観察を行いながら減圧MOVPE法により,サファイア上のAlNエピタキシャル膜を下地結晶としてAlGaNの成長を行った．得られたAlGaNの(0002)回折，(10-12)回折のXRC-FWHMは231，489arcsecであり，高い結晶性を有していることが分かった．また電子線励起による光学特性評価では強い深紫外発光を観測した. |
| （英） | A high-quality AlGaN with high Al mole fraction is required for improvement of device performance such as light-emitting and light-detecting devices in short-wavelength region. In this study, we performed growth of AlGaN on epitaxial AlN(1m)/sapphire (0001) as an underlying layer by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy with in-situ monitoring system. Typical full-widths at half-maximum (FWHMs) of x-ray rocking curves (XRC) for the (0002) and (10-12) diffractions of the AlGaN were 231 and 489 arcsec, respectively. We observed high-intensity chthodoluminescence in deep-vltraviolet wavelength region from the AlGaN of high crystaline quality. | |
| キーワード | （和） | AlN / AlGaN / CL / LP-MOVPE / / / / |
| （英） | AlN / AlGaN / CL / LP-MOVPE / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 24, CPM2009-22, pp. 77-81, 2009年5月. | |
| 資料番号 | CPM2009-22 | |
| 発行日 | 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-32 CPM2009-22 SDM2009-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM SDM |
| 開催期間 | 2009-05-14 - 2009-05-15 |
| 開催地（和） | 豊橋技科大サテライトオフィス |
| 開催地（英） | Satellite Office, Toyohashi Univ. of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2009-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth and deep-ultraviolet chathodoluminescence of AlGaN on AlN/sapphire |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | CL / CL |
| キーワード(4)（和/英） | LP-MOVPE / LP-MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武富 浩幸 / Hiroyuki Taketomi / タケトミ ヒロユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福世 文嗣 / Fumitsugu Fukuyo / フクヨ フミツグ |
| 第4著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) HAMAMATSU PHOTONICS K.K. (略称： HAMAMATSU PHOTONICS K.K.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 知幸 / Tomoyuki Okada / オカダ トモユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) HAMAMATSU PHOTONICS K.K. (略称： HAMAMATSU PHOTONICS K.K.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高岡 秀嗣 / Hidetsugu Takaoka / タカオカ ヒデツグ |
| 第6著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) HAMAMATSU PHOTONICS K.K. (略称： HAMAMATSU PHOTONICS K.K.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 治正 / Harumasa Yoshida / ヨシダ ハルマサ |
| 第7著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) HAMAMATSU PHOTONICS K.K. (略称： HAMAMATSU PHOTONICS K.K.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-05-15 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2009-32, CPM2009-22, SDM2009-22 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.23(ED), no.24(CPM), no.25(SDM) |
| ページ範囲 | pp.77-81 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) |
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