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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-05-15 11:20 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性 ○浦上法之・野間亮佑・梅野和行・光吉三郎・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大）  ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 |
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| 抄録 | （和） | Si基板上の半導体レーザの活性層への応用を目的として、直接遷移型であるInGaAsN混晶に着目し、InxGa1-xAs1-yNy/GaPN 量子ドット(QD)の伝導帯バンドオフセットの検討ならびに成長機構の検討を行った。N無添加で伝導帯バンドオフセットが最も得られるInAs/GaP QDのMBE成長では、格子不整合が11.1%と非常に大きいため、ミスフィット転位が導入された。そこで、格子不整合を低減するために、In0.5Ga0.5AsN/GaP QDを検討した。この時、活性層を障壁層で埋め込む際のAs/P交換におけるAs/P置換反応を抑制するために、シャッターシーケンスの最適化を行った。これらの検討から、InGaAsN/GaPN QDの5層まで多層化に成功した。この試料の室温PLが観測され、Si基板上のQD活性層応用への可能性が示された。 |
| （英） | In order to realize dislocation-free quantum dot (QD) laser diodes on Si, we calculated the conduction band offsets of InGaAsN/GaPN quantum structures as the active layer and investigated the characterization of the InGaAsN/GaPN QDs grown by molecular beam epitaxy (MBE). We successfully grew multiple stacked In0.5Ga0.5AsN/GaPN QDs up to 5QD layers without any structural defect formation by the suppression of the As/P exchange reaction for the multiple stacked InGaAsN/GaPN QDs. Room-temperature photoluminescence emission was observed for the multiple stacked InGaAsN/GaPN QDs. Therefore, the InGaAsN/GaPN QDs are extremely suitable as the active layer. | |
| キーワード | （和） | Si / 光電子集積回路 / InGaAsN / GaInNAs / 自己形成量子ドット / III-V-N混晶 / / |
| （英） | Si / OEIC / InGaAsN / GaInNAs / self-assembled quantum dots / dilute nitride / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 23, ED2009-31, pp. 71-76, 2009年5月. | |
| 資料番号 | ED2009-31 | |
| 発行日 | 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM SDM |
| 開催期間 | 2009-05-14 - 2009-05-15 |
| 開催地（和） | 豊橋技科大サテライトオフィス |
| 開催地（英） | Satellite Office, Toyohashi Univ. of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and luminescence characterization of self-assembled InGaAsN/GaPN quantum dots |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 光電子集積回路 / OEIC |
| キーワード(3)（和/英） | InGaAsN / InGaAsN |
| キーワード(4)（和/英） | GaInNAs / GaInNAs |
| キーワード(5)（和/英） | 自己形成量子ドット / self-assembled quantum dots |
| キーワード(6)（和/英） | III-V-N混晶 / dilute nitride |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦上 法之 / Noriyuki Urakami / ウラカミ ノリユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野間 亮佑 / Ryosuke Noma / ノマ リョウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梅野 和行 / Kazuyuki Umeno / ウメノ カズユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 光吉 三郎 / Saburo Mitsuyoshi / ミツヨシ サブロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古川 雄三 / Yuzo Furukawa / フルカワ ユウゾウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-05-15 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-31, CPM2009-21, SDM2009-21 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.23(ED), no.24(CPM), no.25(SDM) |
| ページ範囲 | pp.71-76 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) |
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