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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-12 09:30 歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析 ○西野啓之・川平一太・原 伸介・藤代博記（東京理科大）  ED2009-44 |
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| 抄録 | （和） | InAsやInSb等のナローギャップ化合物半導体をチャネルに用いたデバイスは，テラヘルツ応用やポストSi CMOS 等の次世代デバイスとして注目を集めている．これらのチャネルには基層との格子定数の違いにより2軸性の歪みが加わる．今回，格子歪みがInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に与える影響を理論的に解析したので報告する． |
| （英） | Narrow band gap semiconductors such as InAs and InSb have been attracted much attention as possible channel materials to realize next generation devices for terahertz applications and the post-Si CMOS. These channels, however, generally suffer from biaxial strains because of a lattice mismatch between the channel and the buffer. In this paper, we calculate the band structure of the strained InAs and InSb, and investigate the influence of the biaxial strains on the electron transport properties. | |
| キーワード | （和） | InAs / InSb / 歪み / バンド構造 / 経験的擬ポテンシャル法 / 衝突電離 / モンテカルロ法 / 電子輸送特性 |
| （英） | InAs / InSb / Strain / Band structure / Empirical pseudopotential method / Impact ionization / Monte Carlo Method / Electron transport properties | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 81, ED2009-44, pp. 41-46, 2009年6月. | |
| 資料番号 | ED2009-44 | |
| 発行日 | 2009-06-04 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2009-06-11 - 2009-06-12 |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Study of Band Structures and Electron Transport properties in Strained InAs and InSb |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(2)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(3)（和/英） | 歪み / Strain |
| キーワード(4)（和/英） | バンド構造 / Band structure |
| キーワード(5)（和/英） | 経験的擬ポテンシャル法 / Empirical pseudopotential method |
| キーワード(6)（和/英） | 衝突電離 / Impact ionization |
| キーワード(7)（和/英） | モンテカルロ法 / Monte Carlo Method |
| キーワード(8)（和/英） | 電子輸送特性 / Electron transport properties |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西野 啓之 / Hiroyuki Nishino / ニシノ ヒロユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Sci.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川平 一太 / Ichita Kawahira / カワヒラ イチタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Sci.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 伸介 / Shinsuke Hara / ハラ シンスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Sci.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤代 博記 / Hiroki I. Fujishiro / フジシロ ヒロキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Sci.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-12 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-44 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.81 |
| ページ範囲 | pp.41-46 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-06-04 (ED) |
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