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| 講演名 | 2009-06-12 11:25 GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減 ○山田敦史・牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研）  ED2009-48 |
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| 抄録 | （和） | ミリ波帯応用向けの短ゲートGaN-HEMTのピンチオフ電流の低減には、GaNチャネル層の薄層化が有効である．しかしながら、GaNチャネル層を薄層化することにより、結晶表面のモフォロジが悪化するという問題点があった．今回、薄層GaNチャネル層の下層にAlGaNバッファ層を導入し、各層の膜厚とAl組成を変化させ、表面状態・結晶性・光学特性・電気特性について評価した．その結果、薄層化したGaNチャネル層の下層に比較的厚いAlGaNバッファ層を配置することで、表面モフォロジの向上・欠陥の低減・電子移動度の向上が観察された．これにより良好な表面モフォロジと高速性能を有するピンチオフ電流の少ないGaN-HEMTが可能となる． |
| （英） | In this paper, GaN channel and AlGaN buffer layer structure in the GaN-HEMT was optimized to achieve a good balance between the low pinched-off-current and the good surface quality for millimeter-wave short gate-periphery devices. We investigated the effects of buffer structures on crystal quality, optical property and transport characteristics. We concluded that thickness control of AlGaN buffer with thin GaN channel is the key features for reducing deep level formation and improving surface morphology. This enables high mobility with good pinched-off characteristics in the GaN-HEMT. | |
| キーワード | （和） | GaN-HEMT / 増幅器 / ミリ波 / 3端子耐圧 / ピンチオフ電流 / / / |
| （英） | GaN-HEMT / Amplifier / Millimeter-wave / Three-terminal breakdown voltage / Pinched-off current / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 81, ED2009-48, pp. 63-67, 2009年6月. | |
| 資料番号 | ED2009-48 | |
| 発行日 | 2009-06-04 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-48 |
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