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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-19 16:50 極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散 ○大田晃生・貫目大介・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）  SDM2009-42 |
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| 抄録 | （和） | 800ºC O2雰囲気中熱処理したHfO2(~4.0nm)/SiO2(~3.8nm)/Si上にMOCVDによりLaOx(1.3nm)を形成し、N2雰囲気中熱処理(600~1000ºC, 2min)によるHfO2膜中へのLa原子の拡散が化学構造や欠陥準位密度へ与える影響を評価した。X線光電子分光および全反射赤外吸収分光分析より、1000ºCの熱処理では、La原子がHfO2膜中を拡散しSiO2層まで達することで、Si原子も試料表面近傍まで拡散し、シリケート化が進行することが分かった。また、La原子の深さ方向プロファイルに理論曲線をフィッティングさせることより、La原子のHfO2膜中への拡散係数を見積もった。光電子収率分光法より、Siの伝導帯下端より深いエネルギー領域(エネルギー幅~2eV)において、HfO2膜中へのLa原子の拡散により、欠陥密度が減少することを明らかにした。 |
| （英） | A stack structure consisting of ~1.3nm-thick LaOx and ~4.0nm-thick HfO2 was formed on thermally grown SiO2 on Si(100) by MOCVD using dipivaloymethanato precursors, and the influence of N2 annealing on interfacial reaction for this stack structure was examined. From analyses of x-ray photoelectron spectroscopy and Fourier transform infrared attenuated total reflection, we found that compositional mixing between LaOx and HfO2 becomes significant from 600°C upwards and that interfacial reaction between HfLayOz and SiO2 proceeds consistently at 1000°C in N2 ambience. And, by fitting a Gaussian function to measured La depth profiles, the La diffusion constant in HfO2 at 600 and 800ºC were determined. Reduction in the gap states with La incorporation into HfO2 was confirmed by total photoelectron yield measurements. | |
| キーワード | （和） | 高誘電率絶縁膜 / HfO2 / LaOx / 界面反応 / X線光電子分光法 / / / |
| （英） | High-k Dielectric / HfO2 / LaOx / Interfacial Reaction / X-ray Photoelectron Spectroscopy / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-42, pp. 87-92, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-42 | |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-42 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-06-19 - 2009-06-19 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of La Diffusion into HfO2/SiO2 Stacked Layers from Ultrathin LaOx |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高誘電率絶縁膜 / High-k Dielectric |
| キーワード(2)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| キーワード(3)（和/英） | LaOx / LaOx |
| キーワード(4)（和/英） | 界面反応 / Interfacial Reaction |
| キーワード(5)（和/英） | X線光電子分光法 / X-ray Photoelectron Spectroscopy |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 貫目 大介 / Daisuke Kanme / カンメ ダイスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-19 16:50:00 |
| 発表時間 | 5分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-42 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.87-92 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) |
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