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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-19 14:10 界面層にHfGeNおよびGeO2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 ～ Ge基板への絶縁膜形成 ～ ○中島 寛・平山佳奈・楊 海貴・王 冬（九大）  SDM2009-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-35 |
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| 抄録 | （和） | We are searching MIS structure with good interface and insulating properties for high mobility Ge channel. Our approach is to introduce the interlayer (IL) at the interface between high-k film and Ge. In this study, two kinds of high-k/ILs/Ge gate stack structures with HfGeN- and GeO2-ILs were fabricated and the electrical properties of the MIS capacitors were characterized. The obtained results are presented. |
| （英） | We are searching MIS structure with good interface and insulating properties for high mobility Ge channel. Our approach is to introduce the interlayer (IL) at the interface between high-k film and Ge. In this study, two kinds of high-k/ILs/Ge gate stack structures with HfGeN- and GeO2-ILs were fabricated and the electrical properties of the MIS capacitors were characterized. The obtained results are presented. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | high-k/Ge structure / gate insulating film / interlayer control / electrical characterization / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-35, pp. 51-56, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-35 | |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-35 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-06-19 - 2009-06-19 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 界面層にHfGeNおよびGeO2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 |
| サブタイトル（和） | Ge基板への絶縁膜形成 |
| タイトル（英） | Electrical Characterization of High-k Gate Dielectrics on Ge with HfGeN and GeO2 Interlayers |
| サブタイトル（英） | Formation of Insulator on Ge Substrate |
| キーワード(1)（和/英） | / high-k/Ge structure |
| キーワード(2)（和/英） | / gate insulating film |
| キーワード(3)（和/英） | / interlayer control |
| キーワード(4)（和/英） | / electrical characterization |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 寛 / Hiroshi Nakashima / ナカシマ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 佳奈 / Kana Hirayama / ヒラヤマ カナ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 楊 海貴 / Haigui Yang / ハイグイ ヤン |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 王 冬 / Dong Wang / ワン ドン |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-19 14:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-35 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.51-56 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) |
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