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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-19 13:00 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性 ○西村知紀・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海 明（東大/JST）  SDM2009-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-32 |
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| 抄録 | （和） | Geデバイスの適用世代では微細化に伴う寄生抵抗の低減が必要不可欠であり、接触抵抗においては金属/半導体間のショットキー障壁高さの低減が要求される。しかしながらGeについてはショットキー障壁高さの金属仕事関数依存性が殆ど見られず、Geの価電子帯近傍に強くフェルミレベルピンニングを生じる。殆どの界面処理がショットキー障壁高さに影響を与えないことからも、ピンニングが本質的な現象であると推測される。一方、金属/絶縁膜/Geキャパシタの絶縁膜/Ge界面は金属/Ge界面程のピンニングが生じていないことは既に良く知られており、金属/Ge界面への極薄膜導入によるショットキー障壁高さ制御の可能性について紹介する。 |
| （英） | The purpose is to understand metal/germanium (Ge) junction characteristics to control Schottky barrier height at metal/Ge interface. We investigated the junction characteristics dependence of metal work functions. All metal/p-Ge and metal/n-Ge junctions have shown ohmic and Schottky characteristics, respectively, with the strong Fermi level pinning to valence band edge of Ge. On the other hand, it is well known that unpinned insulator/Ge interface can be observed at metal/insulator/Ge capacitor as surface potential modulation. By inserting ultra-thin oxide at metal/Ge junction, strong Fermi level pinning was modulated and Schottky character to p-Ge and ohmic one to n-Ge were obtained. This enables us to demonstrate metal source/drain Ge-NMOSFET operation. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム / ショットキー接合 / フェルミレベルピンニング / / / / / |
| （英） | germanium / Schottky junction / Fermi level pinning / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-32, pp. 33-38, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-32 | |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-32 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-06-19 - 2009-06-19 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fermi Level Pinning at Metal/Germanium Interface and its Controllability |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / germanium |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー接合 / Schottky junction |
| キーワード(3)（和/英） | フェルミレベルピンニング / Fermi level pinning |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西村 知紀 / Tomonori Nishimura / ニシムラ トモノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学/JST-CREST (略称： 東大/JST) The University of Tokyo/Japan Science and Technology Agency, CREST (略称： The Univ. of Tokyo//JST-CREST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長汐 晃輔 / Kosuke Nagashio / ナガシオ コウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学/JST-CREST (略称： 東大/JST) The University of Tokyo/Japan Science and Technology Agency, CREST (略称： The Univ. of Tokyo//JST-CREST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 喜多 浩之 / Koji Kita / キタ コウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学/JST-CREST (略称： 東大/JST) The University of Tokyo/Japan Science and Technology Agency, CREST (略称： The Univ. of Tokyo//JST-CREST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳥海 明 / Akira Toriumi / トリウミ アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学/JST-CREST (略称： 東大/JST) The University of Tokyo/Japan Science and Technology Agency, CREST (略称： The Univ. of Tokyo//JST-CREST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-19 13:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-32 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.33-38 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) |
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