講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-06-19 13:40
HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上 ○今庄秀人・Hyun Lee・Dong-Hun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則(阪大) SDM2009-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-34 |
抄録 |
(和) |
我々はGe表面へのF2処理により界面のダングリングボンドを終端することで電気的特性が改善されることを報告したが,ゲート絶縁膜を堆積した後,アニール処理をすることでF2処理の効果が小さくなるという問題があった.そこで,F2処理の効果を高めるために,堆積後,窒素ラジカル処理を行った.実験方法は, High-kゲート絶縁膜としてよく用いられているHfO2薄膜を光MOCVD法により作製した. F2処理はHfO2堆積直前にGe表面へF2(5%)ガスを曝すことで行った.窒素ラジカル処理はRF励起プラズマからイオンを取り除く事で行った.C-V,J-V特性の測定結果から,F2処理に窒素ラジカル処理を追加する事により更なる電気的特性の改善がみられた.さらに,HfO2/Ge MIS界面準位をDLTSにより評価した.その結果,窒素ラジカル処理により更なるバンドギャップ中の界面準位の低減が示され,有効である事が分かった. |
(英) |
The electrical properties and interface states have been improved by fluorine treatment on Ge, but there was a problem which is the degradation of the fluorine treatment effect by the annealing. Therefore, the nitrogen radical treatment is added to enhance the effect of fluorine treatment. HfO2 film as the high-k dielectrics was deposited by photo-assisted MOCVD. Fluorine treatment was taken by exposing surface of germanium to fluorine (5%) gas before deposition of HfO2 film. Nitrogen radical treatment was taken by RF plasma. From the results of C-V and J-V measurements, it could be concluded that fluorine and nitrogen radical treatment improves the electrical properties of HfO2/Ge MIS structure compared to fluorine treatment only. Moreover, the interface states have been evaluated by deep level transient spectroscopy (DLTS) method, which gives the interface trap density in the band-gap. The interface trap density in the band-gap of HfO2/Ge MIS structure was decreased by fluorine and nitrogen radical treatment compared to fluorine treatment only. |
キーワード |
(和) |
F2処理 / 窒素ラジカル処理 / Deep level transient spectroscopy(DLTS) / HfO2/Ge MIS / 光MOCVD / / / |
(英) |
fluorine treatment / nitrogen radical treatment / deep level transient spectroscopy(DLTS) / HfO2/Ge MIS / photo-assisted MOCVD / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-34, pp. 45-50, 2009年6月. |
資料番号 |
SDM2009-34 |
発行日 |
2009-06-12 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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