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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-19 16:20 Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成 ○近藤博基・古田和也・松井裕高・坂下満男・財満鎭明（名大）  SDM2009-41 |
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| 抄録 | （和） | Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法(ALD)によるPr酸化膜の成長手法について研究を行い，ウェハー面内での膜厚ばらつきが2%以下であるPr酸化膜のALD成長を実現した．同ALDでは主として立方晶のPr2O3が形成したが，Si(100)基板上のPr2O3膜が多結晶構造であるのに対し，Si(111)基板上では立方晶Pr2O3がエピタキシャル成長することがわかった．一方，Al/ALD-Pr2O3/Si(100)およびAl/ALD-Pr2O3/Si(111) MOSキャパシタの容量-電圧特性によれば，ALDによって成長した立方晶Pr2O3の比誘電率は12.3～16.8であった．電子銃蒸着法や化学気相蒸着法(CVD)で成長したPr酸化膜の結晶構造および成長条件との比較から，ALDプロセスにおいてH2O分圧を最適化することにより，Pr酸化膜の結晶構造が制御可能であると考えられる。 |
| （英） | Formation of Pr oxide by atomic layer deposition (ALD) using Pr(EtCp)3 precursor was investigated, and ALD growth of Pr oxides with thickness variation less than 2% was achieved. Polycrystalline and epitaxially-grown Pr2O3 films with cubic structures were formed on Si(100) and Si(111) substrates, respectively. A dielectric constant of these films is obtained to be 12.3 to 16.8. Comparing crystalline structures of Pr oxides formed by CVD, ALD, and MBE, it is expected that the crystalline structure of the ALD-Pr oxide can be controlled by optimization of the H2O partial pressure. | |
| キーワード | （和） | 原子層堆積法 / Pr(EtCp)3 / High-k / Pr2O3 / PrO2 / / / |
| （英） | Atomic layer deposition / Pr(EtCp)3 / High-k / Pr2O3 / PrO2 / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-41, pp. 81-85, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-41 | |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-06-19 - 2009-06-19 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Pr Oxide by Atomic Layer Deposition Using Pr(EtCp)3. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 原子層堆積法 / Atomic layer deposition |
| キーワード(2)（和/英） | Pr(EtCp)3 / Pr(EtCp)3 |
| キーワード(3)（和/英） | High-k / High-k |
| キーワード(4)（和/英） | Pr2O3 / Pr2O3 |
| キーワード(5)（和/英） | PrO2 / PrO2 |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 博基 / Hiroki Kondo / コンドウ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古田 和也 / Kazuya Furuta / フルタ カズヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 裕高 / Hirotaka Matsui / マツイ ヒロタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-19 16:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-41 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.81-85 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) |
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