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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-19 11:20 GeMIS界面欠陥の電気的性質 ○田岡紀之・水林 亘・森田行則・右田真司・太田裕之（半導体MIRAIプロジェクト）・高木信一（半導体MIRAIプロジェクト/東大）  SDM2009-30 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-30 |
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| 抄録 | （和） | Ge MIS界面の電気的特性の理解は、少数キャリアの複雑な応答のため非常に困難である。そこで、本報告では、少数キャリアと界面準位との応答および狭バンドギャップを考慮した解析モデルを提案し、その解析モデルを用いたコンダクタンス法によって、様々な界面層を有するGe MISキャパシタの電気特性を詳細に調べた。従来のコンダクタンス法では、少数キャリアの応答を考慮していないため正確な界面特性が得られないこと、および、少数キャリアの応答を考慮したコンダクタンス法では、物理的に正確な界面特性が得られることが明らかとなった。その結果として、電子捕獲断面積はSi MOS界面のそれと同様に、表面ポテンシャル依存性をほとんど示さないことが明らかとなった。この特性は、Si MOSの特性と良く似ていることから、Ge MIS界面にはSi MOSと類似の欠陥が形成されていると考えられる。また、電子捕獲断面積および界面準位密度の大きさは界面層の化学組成に強く依存しており、組成によって異なる欠陥構造を持つと考えられる。 |
| （英） | The response of majority and minority carriers with interface traps have been systematically investigated for Ge MIS interfaces with various interface layers by the conductance method based on the conventional model including the only majority carrier response and a newly-proposed model including the both carrier responses with interface traps. The analysis by using the conventional model leads to the inappropriate results of the Ge MIS interface properties near room temperature. On the other hand, the proposed model can accurately characterize ones. As a result, the electron capture cross sections hardly depend on the energy in all samples as similar with those of Si MOS interface traps. This result indicates that the similar defects to a Si MIS interface are formed at the Ge MIS interfaces. Furthermore, the magnitudes of the electron capture cross sections for each sample depend on the oxygen or nitrogen contents of the interface layers, suggesting that the different defect structures exist. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム / 界面準位 / 少数キャリア / / / / / |
| （英） | Germanium / Interface trap / minority carrier / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-30, pp. 21-26, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-30 | |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-30 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-30 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-06-19 - 2009-06-19 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GeMIS界面欠陥の電気的性質 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Properties of Ge MIS Interface Defects |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | 界面準位 / Interface trap |
| キーワード(3)（和/英） | 少数キャリア / minority carrier |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクトナノ電子デバイス研究センター (略称： 半導体MIRAIプロジェクト) MIRAI-NIRC (略称： MIRAI-NIRC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水林 亘 / Wataru Mizubayashi / ミズバヤシ ワタル |
| 第2著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクトナノ電子デバイス研究センター (略称： 半導体MIRAIプロジェクト) MIRAI-NIRC (略称： MIRAI-NIRC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 行則 / Yukinori Morita / モリタ ユキノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクトナノ電子デバイス研究センター (略称： 半導体MIRAIプロジェクト) MIRAI-NIRC (略称： MIRAI-NIRC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクトナノ電子デバイス研究センター (略称： 半導体MIRAIプロジェクト) MIRAI-NIRC (略称： MIRAI-NIRC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクトナノ電子デバイス研究センター (略称： 半導体MIRAIプロジェクト) MIRAI-NIRC (略称： MIRAI-NIRC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 信一 / Shinichi Takagi / タカギ シンイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 半導体MIRAIプロジェクトナノ電子デバイス研究センター/東京大学大学院工学系研究科 (略称： 半導体MIRAIプロジェクト/東大) MIRAI-NIRC/The University of Tokyo (略称： MIRAI-NIRC/Univ. of Tokyo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-19 11:20:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-30 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.21-26 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) |
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