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| 講演名 | 2009-06-24 14:30 ［招待講演］Theoretical study on graphene field-effect transistors ○Eiichi Sano（Hokkaido Univ./JST）・Taiichi Otsuji（Tohoku Univ../JST）  ED2009-62 SDM2009-57 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-62 SDM2009-57 |
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| 抄録 | （和） | Graphene is one of the most attractive materials for“beyond CMOS” electronics. We investigate graphene-layer compositions suitable for the channel in graphene field-effect transistors (GFETs) in terms of the energy band structure and charge controllability. We examine three major methods of opening a bandgap in graphene. We then compare the threshold voltage and subthreshold-slope characteristics as measures of short-channel effects for GFETs, where graphene is modeled as a narrow-gap semiconductor based on the band consideration, with those for ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs using a drift-diffusion-based simulator. The intrinsic delay times for GFETs are also compared with those for UTB-SOI MOSFETs. |
| （英） | Graphene is one of the most attractive materials for“beyond CMOS” electronics. We investigate graphene-layer compositions suitable for the channel in graphene field-effect transistors (GFETs) in terms of the energy band structure and charge controllability. We examine three major methods of opening a bandgap in graphene. We then compare the threshold voltage and subthreshold-slope characteristics as measures of short-channel effects for GFETs, where graphene is modeled as a narrow-gap semiconductor based on the band consideration, with those for ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs using a drift-diffusion-based simulator. The intrinsic delay times for GFETs are also compared with those for UTB-SOI MOSFETs. | |
| キーワード | （和） | グラフェン / エネルギーバンド構造 / 有効質量 / MOSFET / SOI / 遅延 / / |
| （英） | Graphene / Energy band structure / Effective mass / MOSFET / SOI / Delay / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 97, ED2009-62, pp. 53-58, 2009年6月. | |
| 資料番号 | ED2009-62 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-62 SDM2009-57 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-62 SDM2009-57 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical study on graphene field-effect transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | エネルギーバンド構造 / Energy band structure |
| キーワード(3)（和/英） | 有効質量 / Effective mass |
| キーワード(4)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(6)（和/英） | 遅延 / Delay |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐野 栄一 / Eiichi Sano / サノ エイイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学/JST (略称： 北大/JST) Hokkaido University/Japan Science and Technology Agency (略称： Hokkaido Univ./JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾辻 泰一 / Taiichi Otsuji / オツジ タイイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学/JST (略称： 東北大/JST) Tohoku University/Japan Science and Technology Agency (略称： Tohoku Univ../JST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-24 14:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-62, SDM2009-57 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
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